MMST5551Q-7-F
MMST5551Q-7-F参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| 晶体管类型 | NPN | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160V | 功率 - 最大值 | 200mW |
MMST5551Q-7-F手册
MMST5551Q-7-F概述
产品概述：MMST5551Q-7-F
MMST5551Q-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 晶体管，它专为汽车和高要求的工业应用设计，符合 AEC-Q101 认证标准。这种晶体管采用 SOT-323 封装，非常适合高密度表面贴装应用，为电子设计师提供了一种灵活且可靠的解决方案。
基本参数及特性
作为一款 NPN 型三极管，MMST5551Q-7-F 具备优秀的电气性能，能在多种环境条件下稳定工作。其额定电流为 200mA，最大集射极电压（Vce）可承受高达 160V。这一特性使得它可以用于高压应用，如汽车电气系统和工业控制电路。其最大功率额定值为 200mW，适用于多种功率要求的应用。
在不同工作条件下，MMST5551Q-7-F 均展示了出色的电流增益（hFE）。根据规格，其在 10mA 集电极电流和 5V 供电的条件下，hFE 最小值为 80。这意味着用户可以实现较好的信号放大能力，适用于信号处理和开关应用。
此外，这款晶体管还具有较低的 Vce 饱和压降，在 5mA 和 50mA 的集电极电流下，其最大饱和压降仅为 200mV。这对于电源效率的需求尤为关键，因为它能够在开关状态下减少功耗，提高整体电路效率。
MMST5551Q-7-F 还提供了出色的电流泄漏特性，最大集电极截止电流（ICBO）仅为 50nA，这意味着在关闭状态下，几乎没有电流通过，提高了电路的稳定性和可靠性。
环境适应性
在温度适应性方面，MMST5551Q-7-F 的工作温度范围广泛，覆盖从 -55°C 到 150°C，这使得其可以在严苛的环境条件下正常工作，尤其适合汽车行业和高温环境的应用场景。
适用领域
由于其高压、高电流和高温的耐受能力，MMST5551Q-7-F 适合广泛的应用，包括但不限于：
- 汽车电子：如燃油泵控制、继电器驱动、传感器接口等。
- 工业控制：用于各类开关电路、信号放大和电流控制等。
- 消费电子：在需要高性能放大的应用中表现优异，如音频放大器和高频应用。
- 数据通信：高频特性（最高可达 300MHz）使其在数据传输和处理领域具有一定的应用前景。
结语
综上所述，MMST5551Q-7-F 是一款性能卓越的 NPN 晶体管，提供了良好的电气特性、低功耗和优越的温度稳定性，适合多种高要求应用。作为汽车行业和工业设备的理想选择，它能够为设计师提供针对复杂电路的可靠性和性能保障。无论在提高功率效率、优化信号处理，还是在应对极端工作环境的挑战时，MMST5551Q-7-F 都是一个值得信赖的解决方案。通过选择这款产品，用户能够确保其设计具备稳定性、效率和高效能。