晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
产品名称: DDC113TU-7-F
品牌: DIODES(美台)
封装类型: SOT-363
晶体管类型: 预偏压式双 NPN
DDC113TU-7-F 是一款高效能的数字晶体管,采用 NPN 结构设计,专为满足低功耗和高性能电路的需求而开发。它集成了两个 NPN 晶体管,并采用预偏压配置,使其在数字电路和开关应用中表现出色。产品的功率极限为 200mW,集电极电流(Ic)最大可达 100mA,展现出良好的电流承载能力和可靠性。
DDC113TU-7-F 的电气参数为其在设计和应用中提供了良好的基础。其集电极电压(Vce)击穿电压为 50V,确保在大多数应用环境下能够有效工作。除此之外,其 DC 电流增益(hFE)在 1mA 和 5V 时的最小值为 100,确保在各种电流条件下的信号传输效果。
在处理饱和状态时,DDC113TU-7-F 的 Vce 饱和压降最大值可达 300mV,这意味着在较小的基极电流(Ib)和较大的集电极电流(Ic)下,功耗将保持在相对较低的水平,为设计提供了额外的灵活性。
该款数字晶体管的频率跃迁参数为 250MHz,表明它能够用于高速信号处理和高频开关应用中。该特性使 DDC113TU-7-F 特别适合用于数字电路、射频和通信应用。
DDC113TU-7-F 采用 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 封装,具有小型化和轻量化的特点,适合现代电子设备的紧凑设计要求。这种表面贴装型封装(SMD)有助于提高装配效率和降低生产成本,同时可以有效减小电路板的占用面积。
DDC113TU-7-F 的设计特点使其广泛应用于各种领域,包括但不限于:
数字电路: 由于其出色的开关性能和电流特性,非常适合在数字电路中用于信号放大和开关控制。
消费电子: 适用于小型消费电子产品,如手机、平板电脑和家用电器等,为用户提供高效的信号处理。
工业控制: 可用于工业设备的开关电源管理和信号调节,确保控制精度与响应速度。
通信设备: 尤其在无线通信系统中,利用其高频特性保证信号传输的稳定性。
整体来看,DDC113TU-7-F 作为一种高性能数字晶体管,凭借其卓越的电气性能、优良的频率响应和便捷的封装形式,适用于广泛的电子应用场合。无论是在高频数字信号处理还是在要求严格的工业环境中,DDC113TU-7-F 都能够发挥其最大的潜力,为电子设备的功能和性能提供强有力的支持。选择 DDC113TU-7-F,意味着选择了高效、可靠的电子解决方案,充分满足您在现代电子设计中的各种需求。