功率(Pd) | 200mW | 商品分类 | 数字晶体管 |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V@10mA,0.3V |
电阻比率 | 4.7 | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V |
输入电阻 | 10kΩ | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 360mV@5mA,0.5mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
DDC114EUQ-7-F是一款高性能数字晶体管,采用了NPN结构,具有优异的电气性能和灵活的应用潜力。作为DIODES(美台)品牌旗下推出的产品,DDC114EUQ-7-F在业内广受好评,适用于多种数字电路和信号处理应用。该器件在设计上充分考虑了功耗与效率,尤其是在电流和电压负载较高的情境下表现出色。
DDC114EUQ-7-F广泛应用于以下场景:
相较于传统的晶体管,DDC114EUQ-7-F具备更为优越的切换特性和较低的开关延迟时间。典型的NPN晶体管设计使得该产品在开关时能够进行快速响应,在频繁的数字信号转换中可以有效降低功耗,延长整个系统的使用寿命。同时,SOT-363封装不仅节约了电路板表面积,还对散热性能有良好的影响。
选择DDC114EUQ-7-F时,建议设计工程师参考以下要点:
DDC114EUQ-7-F是一款高效能的数字晶体管,凭借其优越的电气特性、良好的兼容性以及广泛的应用场景,成为了现代电路设计中不可或缺的重要元件。在技术不断进步的背景下,DDC114EUQ-7-F将继续满足各种电子产品的需求,推动电子行业的发展。选择此产品,工程师将能够设计出具有更高性能和可靠性的电子设备,助力产品在竞争激烈的市场中占据优势。