晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 1 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DTD113EC-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的数字晶体管,采用 NPN 结构,主要用于低功耗电子应用。其独特的预偏置设计使其在各种电气条件下都具有良好的性能表现。该晶体管具有较高的集电极电流和低饱和压降,能够满足多个领域的需求,从消费电子到工业控制等多个应用场景。
高效能与低功耗: DDTD113EC-7-F 的最大集电极电流为 500 mA,能够满足高功率输出的要求。而其低饱和压降设计,使得其功耗显著降低,特别适合低功耗电子设备。
快速响应与高频特性: 该晶体管的频率跃迁达到 200 MHz,使其在高频应用中表现出色,可以用于射频放大器和高速开关电路等。
优良的温度特性: 以较低的额定功率(200 mW)运行,适合在不同温度条件下操作,并在需要时能够实现高效率工作。
小型封装设计: 采用 SOT-23-3 封装,能够有效节约电路板空间,适用于空间受限的应用,如便携式电子设备、智能手机及计算机周边设备。
DTD113EC-7-F 适用于多个应用场景,包括但不限于:
在使用 DDTD113EC-7-F 时,设计师可参考以下几点建议:
偏置设计: 由于该元件为预偏置类型,设计时应考虑到基极电阻 R1(1 kΩ)和发射极电阻 R2(1 kΩ)的选择,以确保晶体管的正确工作点。
散热管理: 尽管极限功率为 200 mW,设计中应考虑适当的散热措施,确保其在高功率条件下的稳定性。
PCB 布局: 由于其小型封装,PCB 布局需要合理规划,避免信号干扰和保证电源完整性。此外,尽可能减小引线的电感,以提升高频性能。
总之,DTD113EC-7-F 是一款性能优良、适应性强的 NPN 数字晶体管,广泛适用于现代电子设备中的信号处理和开关应用。凭借其高效率、低功耗、快速反应及小型封装设计,已成为设计师在日常设计中的优选元件之一。