DDTD113EC-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD113EC-7-F

商品编码: BM0185824311
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.492
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.492
--
200+
¥0.318
--
1500+
¥0.276
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD113EC-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)1 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)33 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁200MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

DDTD113EC-7-F手册

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DDTD113EC-7-F概述

DDTD113EC-7-F 产品概述

一、产品简介

DTD113EC-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的数字晶体管,采用 NPN 结构,主要用于低功耗电子应用。其独特的预偏置设计使其在各种电气条件下都具有良好的性能表现。该晶体管具有较高的集电极电流和低饱和压降,能够满足多个领域的需求,从消费电子到工业控制等多个应用场景。

二、基本参数

  1. 晶体管类型: NPN - 预偏压
  2. 电流 - 集电极 (Ic): 最大值 500 mA
  3. 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大值 50 V
  4. DC 电流增益 (hFE):
    • 最小值 33 @ 50 mA,5 V
  5. Vce 饱和压降:
    • 最大值 300 mV @ 2.5 mA,50 mA
  6. 电流 - 集电极截止: 最大值 500 nA
  7. 频率 - 跃迁: 200 MHz
  8. 功率 - 最大值: 200 mW
  9. 安装类型: 表面贴装型
  10. 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  11. 供应商器件封装: SOT-23-3

三、产品特性

  1. 高效能与低功耗: DDTD113EC-7-F 的最大集电极电流为 500 mA,能够满足高功率输出的要求。而其低饱和压降设计,使得其功耗显著降低,特别适合低功耗电子设备。

  2. 快速响应与高频特性: 该晶体管的频率跃迁达到 200 MHz,使其在高频应用中表现出色,可以用于射频放大器和高速开关电路等。

  3. 优良的温度特性: 以较低的额定功率(200 mW)运行,适合在不同温度条件下操作,并在需要时能够实现高效率工作。

  4. 小型封装设计: 采用 SOT-23-3 封装,能够有效节约电路板空间,适用于空间受限的应用,如便携式电子设备、智能手机及计算机周边设备。

四、应用领域

DTD113EC-7-F 适用于多个应用场景,包括但不限于:

  • 消费电子: 在智能手机、平板电脑、便携式音乐播放设备中用于信号放大和开关应用。
  • 工业控制: 用于各种传感器和执行器的控制,特别是在需要快速开关与高频响应的场合。
  • 通讯设备: 在无线通讯和有线通讯设备中可以充当信号放大器,提供可靠的信号传输。
  • 自动化设备: 在自动化控制系统中,提供所需的开关功能,确保系统的精确控制与反应。

五、设计建议

在使用 DDTD113EC-7-F 时,设计师可参考以下几点建议:

  1. 偏置设计: 由于该元件为预偏置类型,设计时应考虑到基极电阻 R1(1 kΩ)和发射极电阻 R2(1 kΩ)的选择,以确保晶体管的正确工作点。

  2. 散热管理: 尽管极限功率为 200 mW,设计中应考虑适当的散热措施,确保其在高功率条件下的稳定性。

  3. PCB 布局: 由于其小型封装,PCB 布局需要合理规划,避免信号干扰和保证电源完整性。此外,尽可能减小引线的电感,以提升高频性能。

六、总结

总之,DTD113EC-7-F 是一款性能优良、适应性强的 NPN 数字晶体管,广泛适用于现代电子设备中的信号处理和开关应用。凭借其高效率、低功耗、快速反应及小型封装设计,已成为设计师在日常设计中的优选元件之一。