DDC114TH-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDC114TH-7

商品编码: BM0185824309
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-563
库存 :
2432(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.467
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.467
--
200+
¥0.301
--
1500+
¥0.262
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDC114TH-7参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 100µA,1mA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-563

DDC114TH-7手册

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DDC114TH-7概述

DDC114TH-7 产品概述

DDC114TH-7是一款由DIODES(美台)公司生产的高性能数字晶体管。该产品采用SOT-563封装,专门设计用于需要高效和可靠性的电子设备中。这款晶体管包含两个NPN预偏压式晶体管,具有多个优越的电气特性,使其适用于多种应用场景。

主要特性

1. 电气性能:

  • 最大集电极电流(Ic): DDC114TH-7最大集电极电流为100mA,确保能够满足大多数中等功率应用的需求。
  • 集射极击穿电压(Vceo): 本产品的电压击穿点最高可达50V,这使其在高于常规工作电压的情况下仍能保持稳定性能。
  • DC电流增益(hFE): 在1mA、5V的条件下,最小DC电流增益可达到100,确保在低电流水平下也能实现有效的信号放大。
  • 饱和压降(Vce(sat)): 在100μA的条件下,其最大饱和压降仅为300mV,这有助于提高开关效率并降低功耗。

2. 频率特性: DDC114TH-7的跃迁频率高达250MHz,能够支持高速信号处理,适合各种数字电路和射频应用。

3. 功率处理: 此型号的功率最大值为150mW,适合用于中等功率的应用,在保证功率处理能力的同时,保持较小的体积。

4. 安装与封装: 采用SOT-563封装的设计,使得DDC114TH-7适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产,节省空间并降低整体电路板的尺寸。

应用场景

DDC114TH-7广泛应用于数字电路、开关电源、无线通讯、高频放大器、信号调理和其他需要高增益和低噪声的应用场合。其高频特性和良好的电流增益使其成为现代电子设备中非常理想的选择,尤其是在需要较高工作频率和较小焊接面积的应用中。

工作环境与稳定性

DDC114TH-7设计考虑了环境稳定性,可以在多个工作条件下高效运作,其内部结构和材料确保产品的长期可靠性,也适应了当今电子产品对耐用性和稳定性的高要求。

整合性与可兼容性

由于其通用的特性,DDC114TH-7可以与其他类型的元器件无缝整合,适用于现代复杂的电路设计,同时也方便电子工程师在现有电路中进行集成和替换。

结语

DDC114TH-7凭借其卓越的电气性能、极小的封装及高频特性,是电子工程师们在设计和制造现代电子设备时不可或缺的重要元器件之一。无论是在音响信号处理、射频设备,还是在电源管理和控制电路中,DDC114TH-7均能提供优秀的性能,助力提升整个系统的效率和可靠性。对于追求高效、紧凑设计的电子产品设计师们,DDC114TH-7无疑是一个理想的选择。