DMP3050LSS-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP3050LSS-13

商品编码: BM0185824295
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.7W 30V 4.8A 1个P沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.63
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.63
--
100+
¥1.25
--
1250+
¥1.06
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3050LSS-13参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)10.5nC @ 10V
Vgs(最大值)±25V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)620pF @ 15V
功率耗散(最大值)1.7W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

DMP3050LSS-13手册

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DMP3050LSS-13概述

DMP3050LSS-13 产品概述

**产品名称:**DMP3050LSS-13
**类型:**P沟道MOSFET
**封装:**SO-8
**品牌:**DIODES(美台)

1. 产品简介

DMP3050LSS-13 是一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电流承载能力和极低的导通电阻,适用于多种电子电路和电源管理应用。其主要特点包括最大漏源电压(Vdss)为30V,最大连续漏极电流(Id)为4.8A,以及出色的功率耗散能力,使其在高温或高负载条件下工作稳定。

2. 关键参数

  • **漏源电压(Vdss):**DMP3050LSS-13 的漏源最大电压为 30V,使其适合用于低至中电压的开关电路和功率放大应用。
  • **最大额定电流(Id):**在 25°C 环境下,该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 4.8A,在实际应用中能够提供较高的电流承载能力,适用于大电流负载。
  • **导通电阻(Rds(on)):**在 10V 的栅源电压下,其最大导通电阻为 45毫欧,使得该器件在开关状态下功耗极小,有效提高系统效率。
  • **栅阈电压(Vgs(th)):**最大栅阈电压为2V(在250µA电流下测试),使得其在相对较低的控制电压下即可开启,便于与低电平驱动电路兼容。
  • **栅极电荷(Qg):**在10V的驱动下,栅极电荷为最大10.5nC,适合用于快速开关应用,能够减少驱动功耗。
  • **功率耗散:**其最大功耗为1.7W,确保在高负载情况下能够可靠工作而不至于过热。

3. 工作环境与应用

DMP3050LSS-13 的工作温度范围为 -55°C至150°C,满足了绝大多数工业和消费电子的严苛环境需求。器件采用表面贴装型(SMD),便于自动化贴片和焊接,有助于提升生产效率。

4. 应用领域

该 MOSFET 的特性使其广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 适合用于DC-DC转换器、开关电源、充电器等应用,能够提供高效的能量管理。
  • 电机控制: 在电机驱动和控制电路中,DMP3050LSS-13 可作为开关元件,支持高效电机控制。
  • 负载开关: 适合用作负载开关,控制电源切换,实现快速响应和低热量功耗。
  • 消费电子: 在手机、平板电脑及其他便携式设备中,常用于电源管理和信号开关。

5. 封装与安装

DMP3050LSS-13 的封装为SO-8,尺寸为0.154英寸(3.90mm 宽),适合高密度电路板安装,具有良好的散热性能。其设计方便了多种应用场景中对空间和散热的要求。

6. 总结

DMP3050LSS-13 以其可靠的性能、优异的电气特性和广泛的应用适用性,成为设计工程师和电子制造商的重要选择。无论是在电源管理系统还是各种电子设备的电路设计中,它都能够为最终产品提供卓越的性能和稳定性。选择DMP3050LSS-13,您将为产品的性能打下坚实的基础。