FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 45 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.5nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 620pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 1.7W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
**产品名称:**DMP3050LSS-13
**类型:**P沟道MOSFET
**封装:**SO-8
**品牌:**DIODES(美台)
DMP3050LSS-13 是一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电流承载能力和极低的导通电阻,适用于多种电子电路和电源管理应用。其主要特点包括最大漏源电压(Vdss)为30V,最大连续漏极电流(Id)为4.8A,以及出色的功率耗散能力,使其在高温或高负载条件下工作稳定。
DMP3050LSS-13 的工作温度范围为 -55°C至150°C,满足了绝大多数工业和消费电子的严苛环境需求。器件采用表面贴装型(SMD),便于自动化贴片和焊接,有助于提升生产效率。
该 MOSFET 的特性使其广泛应用于以下领域:
DMP3050LSS-13 的封装为SO-8,尺寸为0.154英寸(3.90mm 宽),适合高密度电路板安装,具有良好的散热性能。其设计方便了多种应用场景中对空间和散热的要求。
DMP3050LSS-13 以其可靠的性能、优异的电气特性和广泛的应用适用性,成为设计工程师和电子制造商的重要选择。无论是在电源管理系统还是各种电子设备的电路设计中,它都能够为最终产品提供卓越的性能和稳定性。选择DMP3050LSS-13,您将为产品的性能打下坚实的基础。