DMN67D7L-7
DMN67D7L-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 210mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .821nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±40V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 570mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN67D7L-7手册
DMN67D7L-7概述
DMN67D7L-7 产品概述
一、基本信息
DMN67D7L-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，来自知名半导体制造商 DIODES（美台），具有显著的电气性能和适用性。它的漏源电压（Vdss）高达 60V，最大连续漏极电流（Id）为 210mA，适合各种电子电路的应用，特别是在需要高效开关及信号放大的场景中。
二、主要特征
高漏源电压：DMN67D7L-7 能够承受高达 60V 的漏源电压，使其在多种高电压应用中表现出色。
出色的导通电阻：在驱动电压为 10V 的情况下，最大导通电阻（Rds(on)）为 5 欧姆（@ 500mA 电流），确保了其在较高电流情况下的高效传输，减少了能量损耗，提升了整体电路的效率。
宽工作温度范围：该器件的工作温度范围在 -55°C 到 150°C 之间，提供了极大的温度适应性，非常适合在严苛环境下应用。
小型封装：采用 SOT-23-3 封装，使其适合自动化贴装，节省电路板空间，实现更高的集成度。
栅极驱动电压：该 MOSFET 可以在 Vgs 最大 ±40V 的条件下稳定工作，保证了驱动灵活性。同时，栅极阈值电压（Vgs(th)）在 2.5V（@ 250µA）下开启，使得它在低电压驱动时也能有效工作。
低栅极电荷：栅极电荷（Qg）在 10V 时最大为 0.821nC，这使得其开关速度较快，适合高频率的开关应用。
输入电容：在 25V 的条件下，输入电容（Ciss）仅为 22pF，提供了较低的输入阻抗，有助于提高开关性能。
三、应用领域
DMN67D7L-7 广泛适用于以下领域：
开关电源：在 DC-DC 转换器中用作开关元件，由于其较低的导通电阻和高效率，能够有效提高整个电源的性能。
音频放大器：在音频应用中，MOSFET 可用于信号调节与放大，大幅改善音质和传输效率。
电池管理系统：在电池供电的系统中，用于电源切换和负载监控，确保电池的安全和效率。
马达控制：可以用于驱动直流电机和其他负载，控制其启停和速度。
逻辑电平转换：可用于逻辑电压转换，以支持不同电压系统之间的有效通信。
四、总结
DMN67D7L-7 是一款具有高性能和广泛适用性的 N 通道 MOSFET，其低导通电阻、高漏源电压、广泛工作温度范围和小型封装特性使其成为各种电子电路设计中的理想选择。无论是在开关电源、音频放大器还是电池管理系统中，DMN67D7L-7 都能够提供可靠的性能，助力现代电子设备的高效运作。凭借其出色的电气参数，DMN67D7L-7 将为用户在设计与实际应用中提供优异支持，满足不断增长的电源管理需求和电路密度挑战。