DSS4160U-7 产品实物图片
DSS4160U-7 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DSS4160U-7

商品编码: BM0185824286
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 400mW 60V 1A NPN SOT-323-3
库存 :
2800(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.606
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.606
--
200+
¥0.391
--
1500+
¥0.34
--
3000+
¥0.301
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS4160U-7参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)280mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 500mA,5V
功率 - 最大值400mW频率 - 跃迁150MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

DSS4160U-7手册

empty-page
无数据

DSS4160U-7概述

产品概述:DSS4160U-7(NPN晶体管)

1. 引言

DSS4160U-7是一款高性能NPN晶体管,专为低功率放大和开关应用而设计,其具备出色的电流增益和高频响应,广泛适用于消费电子、工业设备和通信领域。该元器件由美台半导体(DIODES)生产,采用SOT-323封装,是表面贴装型设计,便于在各种PCB板上进行安装。

2. 主要参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):1A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):60V
  • Vce饱和压降:在100mA和1A的工作条件下,饱和压降最大为280mV,这对于低功耗设计至关重要。
  • 集电极截止电流 (Ic(off)):最大值为100nA,表示在关闭状态下极低的漏电流,有助于提高设备的能效。
  • DC电流增益 (hFE):在500mA和5V的情况下,最小值为200,这意味着其在较高电流下仍能保持良好的放大性能,适合高功率应用。
  • 最大功率:400mW,适应于多种功率需求的设计。
  • 频率响应:跃迁频率为150MHz,能够满足高频信号处理的需求。
  • 工作温度范围:从-55°C到150°C,支持高温和恶劣环境下的可靠运行。
  • 封装类型:SOT-323,紧凑的设计适合空间受限的电子设备。

3. 应用场景

DSS4160U-7的设计使其非常适合以下应用场景:

  • 消费电子:在音频放大器、调制解调器和其他家庭电器中,用作信号放大和开关控制。
  • 工业设备:用于自动化控制系统,包括传感器、继电器驱动和嵌入式系统等。
  • 通信设备:在无线和有线通信设备中承担信号放大功能,实现信号的传输和处理。
  • 汽车电子:其高工作温度范围使其适合在汽车电子控制系统中使用。

4. 设计优点

  • 低饱和压降:DSS4160U-7在高电流下的低饱和压降(最大280mV)能显著降低功耗,提升整体效率,有助于延长电池寿命。
  • 高电流增益:较高的dc电流增益(hFE)在放大信号时提供更大的增益,提高设计的灵活性。
  • 优异的频率响应:150MHz的跃迁频率确保该元器件能够处理高频信号,适应不断发展的通信技术需求。
  • 优越的热稳定性:宽广的工作温度范围(-55°C到150°C)使得DSS4160U-7非常适合各种工业标准应用,如军事和航空电子设备。

5. 封装与安装

DSS4160U-7采用SOT-323封装,紧凑的结构保证了其在高密度PCB布局中的应用灵活性。同时,表面贴装 (SMT) 设计使得其在自动化生产线上也能简化焊接和重复性高效制造。

6. 结论

总的来说,DSS4160U-7是一款多功能的NPN晶体管,凭借其高性能特性、低功耗和高温稳定性,成为了众多应用的理想选择。不论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,DSS4160U-7都以其优越的电气特性与可靠性为设计工程师们提供了强有力的支持。根据具体的应用要求,该元器件能够轻松满足各类设计需求,确保创新产品的成功开发。