ZXMN2F30FHQTA
ZXMN2F30FHQTA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 452pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN2F30FHQTA手册
ZXMN2F30FHQTA概述
ZXMN2F30FHQTA 产品概述
ZXMN2F30FHQTA 是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能 N-channel MOSFET（场效应管），其设计与制造旨在满足现代电子设备对低电压和高电流应用的需求。作为一种表面贴装型（SMD）器件，ZXMN2F30FHQTA 提供了一个紧凑的封装解决方案，特别适用于空间有限的电路设计。
主要技术参数
- 类型: N-channel MOSFET
- 最大漏源电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id): 4.9A（在 25°C 下）
- 驱动电压:
- 最小 Rds On: 2.5V
- 最大 Rds On: 4.5V
- 导通电阻 (Rds On):
- 最大值: 45毫欧 @ 2.5A, 4.5V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1.5V @ 250µA（不同 Id 情况）
- 栅极电荷 (Qg): 4.8nC @ 10V（不同 Vgs 情况）
- 最大 Vgs: ±12V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 452pF @ 10V
- 功率耗散: 最大值 1.4W
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3
应用领域
ZXMN2F30FHQTA 的设计目标是满足各种应用需求，尤其是在移动设备、便携式电子产品、开关电源、电机驱动和负载开关等领域。它的高效性能和小巧封装使其非常适合用于：
低电压、高频电子电路：由于其较低的 Rds On 值，ZXMN2F30FHQTA 能够有效减少在开关状态下的功耗。
便携式设备：小型封装 SOT-23-3 使其适用于空间受限的设计，尤其是在手机、平板电脑和其他小型电子设备中。
电源管理系统：在电源开关和动态电压调整(DVS)中，ZXMN2F30FHQTA 能够提供可靠的性能，确保系统的高效运行。
电机控制：该 MOSFET 能够有效地用于电机的开关控制，提升电动机的使用效率。
性能优势
ZXMN2F30FHQTA 提供了众多的性能优势，使其在各种应用中更具竞争力：
低导通电阻：45毫欧的高电流导通电阻有助于降低功率损耗，提高整体能效。
宽工作温度范围：-55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围确保了在不同环境条件下的可靠性，适用于工业及高温工作条件的应用。
小型化设计：SOT-23-3 封装的紧凑设计方便在现代的紧凑电路中使用，有助于节省宝贵的电路板空间。
高电流承载能力：4.9A的连续漏极电流设计，满足高功率需求的应用。
小结
ZXMN2F30FHQTA 是一款卓越的 N-channel MOSFET，凭借其出色的电气特性和封装设计，成为多种电子设备的理想选择。无论是在便携式技术、工控、还是在要求高效电源管理和驱动的各种应用中，ZXMN2F30FHQTA 都可以提供可靠的解决方案。随着电子设备对能效和空间优化的不断追求，这款产品将继续在市场上发挥重要角色。