DMP6050SFG-7 产品实物图片
DMP6050SFG-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP6050SFG-7

商品编码: BM0185824280
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI3333-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.1W 60V 4.8A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存 :
56(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.86
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.86
--
100+
¥1.44
--
1000+
¥1.25
--
2000+
¥1.18
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP6050SFG-7参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)24nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1293pF @ 30V
功率耗散(最大值)1.1W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerDI3333-8
封装/外壳8-PowerVDFN

DMP6050SFG-7手册

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DMP6050SFG-7概述

DMP6050SFG-7 产品概述

1. 产品简介

DMP6050SFG-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,适用于各种电子设备中的功率管理和开关应用。该器件由领先的半导体制造商 DIODES(美台)设计与生产,以满足现代电子产品对高效率和低损耗的要求。具备 60V 额定漏源电压和 4.8A 连续漏极电流的特点,使其在很多应用中成为理想的选择。其紧凑的 PowerDI3333-8 封装设计不仅提高了散热效能,更使得在空间有限的电路板上使用变得更加灵活。

2. 主要规格

  • FET 类型: P 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A(工作在环境温度下)
  • 驱动电压(最大 Rds On): 支持 4.5V 和 10V 驱动电压
  • 导通电阻 (Rds On): 不同 Id 下,最大值为 50 毫欧 @ 5A,10V 驱动电压
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 3V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为 24nC @ 10V
  • 最大 Vgs: ±20V
  • 输入电容 (Ciss): 在 30V 时最大值为 1293pF
  • 功率耗散 (Pd): 最大值为 1.1W(工作在环境温度下)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 器件封装: PowerDI3333-8(8-PowerVDFN)

3. 应用领域

DMP6050SFG-7 可广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:本器件适用于开关电源、DC-DC 转换器及线性稳压器等,帮助提高设备的能效。
  • 工业控制:电子控制开关、传感器供电和变频器等应用场景中,DMP6050SFG-7 的低导通电阻能够降低功率损耗。
  • 消费电子:在便携式电子设备中,能够减少电池消耗,延长设备的使用时间。
  • 汽车电子:适合在汽车应用中使用,如电机驱动、照明控制以及电源分配等。

4. 性能优势

  • 低导通电阻:其设计承诺提供优秀的导通性能,使得在低电压和高电流情况下执行高效能的开关操作,显著降低功耗。
  • 宽工作温度范围:-55°C 至 150°C 的工作温度范围,使其能够适应极端环境条件,保证在高温或低温环境下的可靠运行。
  • 高集成度:PowerDI3333-8 封装不仅节省了PCB空间,还提升了散热性能和可靠性,使其在高密度电路设计中具有更大的灵活性。

5. 结论

DMP6050SFG-7 P 通道 MOSFET 结合了高电压承受能力、低功耗特性与高温运行能力,成为了适用于各类电子设备中的一种重要元器件。凭借其出色的性能与广泛的应用潜力,该MOSFET 不仅为设计师提供了更多的设计选择,也为终端用户带来了更高效、更稳定的电子产品体验。无论是在汽车、工业还是消费电子领域,DMP6050SFG-7都能满足严苛的应用需求,是电子设计中不可或缺的关键元件。