FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1293pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 1.1W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
1. 产品简介
DMP6050SFG-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,适用于各种电子设备中的功率管理和开关应用。该器件由领先的半导体制造商 DIODES(美台)设计与生产,以满足现代电子产品对高效率和低损耗的要求。具备 60V 额定漏源电压和 4.8A 连续漏极电流的特点,使其在很多应用中成为理想的选择。其紧凑的 PowerDI3333-8 封装设计不仅提高了散热效能,更使得在空间有限的电路板上使用变得更加灵活。
2. 主要规格
3. 应用领域
DMP6050SFG-7 可广泛应用于以下领域:
4. 性能优势
5. 结论
DMP6050SFG-7 P 通道 MOSFET 结合了高电压承受能力、低功耗特性与高温运行能力,成为了适用于各类电子设备中的一种重要元器件。凭借其出色的性能与广泛的应用潜力,该MOSFET 不仅为设计师提供了更多的设计选择,也为终端用户带来了更高效、更稳定的电子产品体验。无论是在汽车、工业还是消费电子领域,DMP6050SFG-7都能满足严苛的应用需求,是电子设计中不可或缺的关键元件。