DZT853-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DZT853-13

商品编码: BM0185824269
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.67
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.67
--
50+
¥1.39
--
1250+
¥1.29
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

DZT853-13参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)340mV @ 500mA,5A电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 2A,2V频率 - 跃迁130MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)6A电压 - 集射极击穿(最大值)100V
功率 - 最大值1W基本产品编号DZT853

DZT853-13手册

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DZT853-13概述

DZT853-13 产品概述

概述

DZT853-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 型晶体管,采用 SOT-223 封装形式,符合表面贴装技术(SMT)。该元器件设计用于高效能和高可靠性的电子应用,适合在多种工作环境下运行,具有出色的电气性能和广泛的适用性。

主要特性

  1. 电气性能: DZT853-13 的主要电气特性包括:

    • 最大集电极电流 (Ic): 6A,适合于较大电流的驱动应用。
    • 集电极-发射极击穿电压 (Vce): 最大 100V,能够有效抵御高电压工作环境的影响。
    • 饱和压降 (Vce(sat)): 在 5A 时,最大饱和压降为 340mV,表明其在大电流下仍能保持较低的能耗,这是功率管理设计的关键性能之一。
    • 直流电流增益 (hFE): 最小值为 100,尤其在 2A 和 2V 条件下,这一特性使其在多种放大应用中表现优越。
  2. 频率性能: DZT853-13 的频率跃迁特性达到 130MHz,可以支持快速开关应用,适合高频率工作环境。对于需要高频响应的电路设计,该晶体管能够提供很好的应用基础。

  3. 低功耗特性: 该元器件的集电极截止电流 (ICBO) 最大值为 10nA,这意味着在关断状态时,它的功耗极低,有助于提高电路的整体能效。

  4. 温度特性: DZT853-13 的工作温度范围广:从 -55°C 到 150°C,表明其能在极端温度环境中正常工作,极大地提升了元器件的可靠性和稳定性。

  5. 封装和安装: DZT853-13 采用 SOT-223 封装,卷带(TR)包装形式方便自动贴装,适合批量生产。其紧凑的尺寸适应了现代电子产品日益小型化的趋势。

应用领域

DZT853-13 晶体管因其优越的性能,应用非常广泛,主要包括但不限于:

  • 功率放大器: 可用于音频和高频功率放大电路,提供良好的信号增益。
  • 开关电源: 适合用于开关电源中的控制元件,处理大电流和高压的场合。
  • 电机驱动: 能够在电机驱动电路中快速开关,提供所需的启动电流。
  • 信号放大: 在传感器及数据采集系统中用于信号放大,提升信号传递精度。
  • LED 驱动: 由于其较高的电流承载能力,适用于大功率 LED 照明系统。

结论

DZT853-13是一款性能卓越、结构紧凑的NPN晶体管,能够满足现代电子产品对高性能、高可靠性与低能耗的需求。在众多电子应用领域,DZT853-13以其良好的电气性能和广泛的适用性,成为设计工程师的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制,DZT853-13均能发挥出色其应有的价值,助力产品的提升和优化。