制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 340mV @ 500mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,2V | 频率 - 跃迁 | 130MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 6A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
功率 - 最大值 | 1W | 基本产品编号 | DZT853 |
DZT853-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 型晶体管,采用 SOT-223 封装形式,符合表面贴装技术(SMT)。该元器件设计用于高效能和高可靠性的电子应用,适合在多种工作环境下运行,具有出色的电气性能和广泛的适用性。
电气性能: DZT853-13 的主要电气特性包括:
频率性能: DZT853-13 的频率跃迁特性达到 130MHz,可以支持快速开关应用,适合高频率工作环境。对于需要高频响应的电路设计,该晶体管能够提供很好的应用基础。
低功耗特性: 该元器件的集电极截止电流 (ICBO) 最大值为 10nA,这意味着在关断状态时,它的功耗极低,有助于提高电路的整体能效。
温度特性: DZT853-13 的工作温度范围广:从 -55°C 到 150°C,表明其能在极端温度环境中正常工作,极大地提升了元器件的可靠性和稳定性。
封装和安装: DZT853-13 采用 SOT-223 封装,卷带(TR)包装形式方便自动贴装,适合批量生产。其紧凑的尺寸适应了现代电子产品日益小型化的趋势。
DZT853-13 晶体管因其优越的性能,应用非常广泛,主要包括但不限于:
DZT853-13是一款性能卓越、结构紧凑的NPN晶体管,能够满足现代电子产品对高性能、高可靠性与低能耗的需求。在众多电子应用领域,DZT853-13以其良好的电气性能和广泛的适用性,成为设计工程师的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制,DZT853-13均能发挥出色其应有的价值,助力产品的提升和优化。