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DMP3018SFVQ-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI3333-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.147nF@15V 12mΩ 30V PowerDI3333-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.33按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.33
--
100+
￥1.79
--
1000+
￥1.56
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP3018SFVQ-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 11.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 51nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2147pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8（UX 类） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP3018SFVQ-7手册
无数据
DMP3018SFVQ-7概述
DMP3018SFVQ-7 产品概述
DMP3018SFVQ-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（场效应管），由知名品牌 DIODES（美台）生产。该器件采用先进的 MOSFET 技术，被广泛应用于各种电子电路中，主要用于功率管理和开关应用。凭借其卓越的性能和优良的热管理能力，DMP3018SFVQ-7 适用于汽车、工业及消费类电子产品等多种应用场景。
基本参数
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 功率耗散（最大值）：1W（在环境温度 Ta 下）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：PowerDI3333-8
电气性能
DMP3018SFVQ-7 在不同工作条件下展现出良好的电气性能：
- 连续漏极电流：在 25°C 的环境温度下，漏极电流可达 11A，而在更优热条件下（Tc），可实现高达 35A 的漏极电流，极大地提升了其在高功率应用中的适用性。
- 导通电阻：在 10V 的栅源电压下，DMP3018SFVQ-7 的导通电阻（Rds(on)）最大值为 12 毫欧。这一低导通电阻使得该器件在导通状态下能够有效降低功耗，提高能量效率。
- 栅极电压：该器件的驱动电压范围为 4.5V 至 10V，确保能够与多种控制电路兼容。Vgs(th) 最大值为 3V @ 250µA，使其能够在较低的栅电压下有效启动工作。
- 栅极电荷：在 10V 的驱动电压下，栅极电荷（Qg）最大值为 51nC，这表明该 MOSFET 具有良好的开关特性，适合于高频率的开关应用。
- 输入电容：在 15V 时，DMP3018SFVQ-7 的输入电容（Ciss）为 2147pF，这一特性有助于实现更快的开关速度。
应用领域
DMP3018SFVQ-7 主要应用于以下领域：
- 电源管理：由于其高电流承载能力和低导通电阻，该 MOSFET 在开关电源和 DC-DC 转换器中表现出色。
- 电机驱动：能够处理高负载情况，适用于电机控制电路。
- 消费电子：在手机、笔记本电脑等小型电子设备中，利用其小型封装特性节省空间。
- 汽车电子：由于其广泛的工作温度范围和高可靠性，DMP3018SFVQ-7 适合在汽车应用中使用，例如电动助力转向和车辆灯光控制系统。
结论
综合上述特点，DMP3018SFVQ-7 是一款在性能和可靠性方面都非常突出的 P 通道 MOSFET。其优越的电气参数和宽广的应用领域，使其成为现代电子电路设计中的理想选择。无论是在高功率应用还是在小型化的消费电子产品中，DMP3018SFVQ-7 均能够满足高效、可靠的工作要求。选择 DMP3018SFVQ-7，意味着选择了一款在各种需求下均能表现卓越的电子元器件。