MMST4401-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMST4401-7-F

商品编码: BM0185824255
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.014g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 40V 600mA NPN SOT-323-3
库存 :
2597(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.342
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.342
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.192
--
3000+
¥0.17
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMST4401-7-F参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)750mV @ 50mA,500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 150mA,1V功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁250MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

MMST4401-7-F手册

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MMST4401-7-F概述

产品概述:MMST4401-7-F NPN晶体管

概述

MMST4401-7-F是一款高性能的NPN晶体管,专为广泛的电子电路设计而优化,主要用于开关和增益应用。其卓越的特性和多功能性使其成为现代电子设计中的关键组件,特别是在移动设备、消费电子产品以及其他要求高效率和紧凑设计的应用中。

主要规格

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流(Ic):600mA
  • 最大集射极击穿电压(Vce):40V
  • 饱和压降(Vce(sat)):在Ic为50mA和500mA时,最大值为750mV
  • 直流电流增益(hFE):在Ic为150mA和1V时,最小值为100
  • 最大功率:200mW
  • 频率(跃迁频率):250MHz
  • 工作温度范围:-55°C至150°C(结温TJ)
  • 封装类型:表面贴装型(SMD)
  • 封装/外壳:SOT-323,SC-70

性能特点

MMST4401-7-F的设计使其能在多种工作条件下保持稳定的性能表现。其600mA的集电极电流能力,加上40V的高击穿电压,使其在大多数电源驱动应用中表现出色。更重要的是,较低的饱和压降(750mV)使其在开关电源和模拟电路中的能效更高,能有效降低功耗。

DC电流增益(hFE)的值达到100,表明该晶体管在于短时间内实现快速的电流增益,并且在不同的工作条件下保持良好的增益特性。其高跃迁频率(250MHz)同样使得MMST4401-7-F成为高频应用的理想选择,如射频放大器和数字电路。

温度适应性

MMST4401-7-F具备极为广泛的工作温度范围,能够在-55°C至150°C的环境条件下正常工作。这种高温适应性使得该元件非常适合航空航天、汽车电子以及工业设备等高要求环境应用。

封装特性

采用SOT-323封装,MMST4401-7-F的表面贴装设计不仅节省了空间,还简化了PCB的布局设计。该封装类型使得元器件的布局更加灵活,便于自动化生产和大规模应用。

应用场景

MMST4401-7-F的应用场景非常广泛,主要包括但不限于:

  • 开关电源电路:适用于电流开关、灯光控制和电机驱动等应用。
  • 信号放大器:在音频放大器、射频放大器中广泛使用。
  • 开关稳压电源:用于DC-DC转换器,提升电源效率。
  • 高频通信:在高频信号放大及处理电路中必不可少。

结论

总之,MMST4401-7-F凭借其卓越的电气特性、适应恶劣环境的能力及紧凑的表面贴装设计,为现代电子设计提供了强有力的支持。作为DIODES(美台)出品的高质量NPN晶体管,该元件不仅适合专业工程师的技术需求,同样也能满足多种工业和消费领域的应用需求。若您正在寻找一款性能优越、可靠性高的NPN晶体管,MMST4401-7-F无疑是一个值得考虑的优秀选择。