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DMN3016LK3-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TO252
包装 :
编带
重量 :
0.508g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.6W 30V 12.4A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
511(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.88按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.88
--
100+
￥1.45
--
1250+
￥1.25
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3016LK3-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25.1nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1415pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMN3016LK3-13手册
无数据
DMN3016LK3-13概述
DMN3016LK3-13 产品概述
一、产品简介
DMN3016LK3-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为各种电子设备中的开关和放大应用而设计。此器件由知名品牌 DIODES（美台）生产，具有高效、可靠和灵活的特点。其主要参数包括漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）为12.4A，以及优越的导通电阻性能，适用于多个行业的广泛应用场合。
二、主要特性
电压与电流能力：
- 漏源电压 (Vdss)：最高可达30V，适用于多种电源管理和信号传输应用。
- 额定连续漏极电流 (Id)：在25°C 环境温度下可达12.4A，使其能够处理高负载应用。
导通电阻与功率损耗：
- 在10V Vgs 和11A Id 下，最大发电导通电阻 (Rds(on)) 仅为12毫欧，确保能效高，减少了功率损耗，提升了散热性能。
- 最大功率耗散为1.6W，在高效散热设计下，能够更好地满足系统要求。
栅极电压与开关特性：
- 该 MOSFET 在 Vgs 为4.5V 和10V 时可以实现高效驱动，兼容低电压应用。
- Vgs(th) 最大值为2.3V @ 250µA，确保在较低栅极电压条件下即可快速开启，适合需要快速开关的高频应用。
电容特性：
- 输入电容 (Ciss) 在15V 时最大为1415pF，有效降低了开关时间，提高了操作速度。
温度范围：
- 工作温度范围广，从-55°C 到 150°C，适合严酷环境下的应用，如汽车电子、工业控制等领域。
封装与安装类型：
- 采用 TO-252 封装，符合表面贴装技术 (SMT)要求，便于自动化生产及组装，大幅提升元件的使用效率。
三、应用领域
DMN3016LK3-13 可以广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：适合用于直流-直流转换器、开关电源等场合，以高效控制电源输出和稳压。
- 电机驱动：可用于控制电机的开启与关闭，支持洗衣机、风扇及其他电机驱动应用。
- 汽车电子：在汽车电子系统中，可用于电源分配、LED 驱动及负载开关等功能。
- 工业自动化：应用于工业设备的自动控制及监控系统中，提高系统的响应速度与效率。
四、结论
综上所述，DMN3016LK3-13 N 通道 MOSFET 拥有良好的电气性能和可靠的工作特性，能够满足现代电子产品的多样化和高性能需求。其卓越的导通电阻和宽广的工作温度范围使其成为电源管理、电机驱动及汽车电子等众多应用中的理想选择。无论在严酷的环境条件还是复杂的电路设计中，DMN3016LK3-13 都能提供稳定的性能，帮助设计工程师实现创新的产品解决方案。