CJ1012 产品实物图片
CJ1012 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CJ1012

商品编码: BM0184508954
品牌 : 
CJ(江苏长电/长晶)
封装 : 
SOT-523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2V 20V 500mA 1个N沟道 SOT-523
库存 :
780(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.696
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.696
--
200+
¥0.232
--
1500+
¥0.145
--
3000+
¥0.1
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

CJ1012参数

功率(Pd)150mW反向传输电容(Crss@Vds)12pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)700mΩ@4.5V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)750pC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)100pF连续漏极电流(Id)500mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA

CJ1012手册

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CJ1012概述

产品概述:CJ1012 N沟道场效应管

1. 引言

CJ1012是一款高性能的N沟道MOSFET,专为电源管理和信号开关应用而设计。该器件具有出色的电气性能,适用于需要低导通电阻、高开关速度和高效能的多种应用场景。其小巧的SOT-523封装使其适合于空间有限的电路设计,非常适合移动设备、便携式电子产品以及其他要求高集成度的应用。

2. 主要技术规格

  • 类型:N沟道场效应管
  • 封装:SOT-523
  • 最大漏源电压(Vds):20V
  • 最大漏极电流(Id):500mA
  • 阈值电压(Vgs(th)):通常在1.2V左右

CJ1012具有良好的电气特性,能够在低电压条件下有效工作。其较低的Vgs(th)确保在较低的驱动电压下即可实现开关操作,这对于移动设备和低功耗应用尤为重要。

3. 应用场景

CJ1012广泛应用于以下几个领域:

  • 电源管理:作为开关管,CJ1012可以在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中实现高效的能量传输与调节,提高电源效率。
  • 信号开关:在数据信号线路中使用CJ1012,可实现快速切换,降低信号延迟,保证信号的完整性。
  • 负载驱动:适用于驱动小负载,如LED灯、继电器等,其最大漏电流可达500mA,能满足小型负载的驱动需求。
  • 便携式设备:在智能手机、平板电脑等便携设备中,CJ1012可用于电源管理和信号切换,帮助延长电池使用寿命。

4. 性能优点

  • 低导通电阻:CJ1012的导通电阻非常低,降低了功耗和热量产生,提高了应用系统的效率。
  • 高开关速度:该器件具有优秀的开关特性,快速开启和关闭,适合高频率应用。
  • 小型封装:SOT-523封装的设计让其在空间受限的PCB设计中可轻松集成,适应高密度电路排布的需求。
  • 可靠性:CJ1012采用了优质的生产工艺和材料,确保其在各种工作环境下都能保持稳定的性能和可靠性。

5. 结论

在现代电子设计中,CJ1012 N沟道MOSFET凭借其出色的电气性能、紧凑的封装和广泛的应用场景,成为一款极具吸引力的选择。无论是用于电源管理、信号开关还是负载驱动,这款元件都可以提供高效、可靠的解决方案。对于设计工程师而言,选择CJ1012将是一个增强产品性能和提升整体设计效率的重要一步。随着科技的进步和电子设备的日益miniaturization(小型化),CJ1012将继续在各种创新项目中展现其独特的价值。