功率(Pd) | 150mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 700mΩ@4.5V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 750pC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 100pF | 连续漏极电流(Id) | 500mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
CJ1012是一款高性能的N沟道MOSFET,专为电源管理和信号开关应用而设计。该器件具有出色的电气性能,适用于需要低导通电阻、高开关速度和高效能的多种应用场景。其小巧的SOT-523封装使其适合于空间有限的电路设计,非常适合移动设备、便携式电子产品以及其他要求高集成度的应用。
CJ1012具有良好的电气特性,能够在低电压条件下有效工作。其较低的Vgs(th)确保在较低的驱动电压下即可实现开关操作,这对于移动设备和低功耗应用尤为重要。
CJ1012广泛应用于以下几个领域:
在现代电子设计中,CJ1012 N沟道MOSFET凭借其出色的电气性能、紧凑的封装和广泛的应用场景,成为一款极具吸引力的选择。无论是用于电源管理、信号开关还是负载驱动,这款元件都可以提供高效、可靠的解决方案。对于设计工程师而言,选择CJ1012将是一个增强产品性能和提升整体设计效率的重要一步。随着科技的进步和电子设备的日益miniaturization(小型化),CJ1012将继续在各种创新项目中展现其独特的价值。