制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 170mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 220 @ 500mA,2V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
功率 - 最大值 | 460mW | 基本产品编号 | NSS402 |
NSS40200LT1G 是由 ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能PNP型双极晶体管(BJT),主要用于高功率开关和信号放大应用。此产品具有优越的电气性能和宽广的工作温度范围,非常适合于各种电子设备需求。
电流和电压规格:
电流增益:
饱和压降:
频率特性:
温度范围:
NSS40200LT1G 作为一款PNP型三极管,其应用广泛,涵盖多个领域:
NSS40200LT1G采用SOT-23-3表面贴装封装,尺寸小巧,适合现代电子设备对紧凑设计的要求,便于自动化生产和安装,同时可节省PCB空间,提升布局灵活性。
综上所述,NSS40200LT1G是一款集高效、高性能于一体的PNP型三极管,凭借其良好的电流增益、低饱和压降和广泛的工作温度范围,满足了各种复杂应用的需求。无论在通信、工业控制、汽车电子还是消费类产品中,其广泛的适用性和可靠性使其成为设计者的首选元件之一。选择NSS40200LT1G,为您的设计提供强大的支持和保障。