NSS40200LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NSS40200LT1G

商品编码: BM0184508272
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 460mW 40V 2A PNP SOT-23
库存 :
1748(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.1
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.1
--
200+
¥0.846
--
1500+
¥0.736
--
3000+
¥0.64
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NSS40200LT1G参数

制造商ON Semiconductor包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)170mV @ 200mA,2A电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)220 @ 500mA,2V频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A电压 - 集射极击穿(最大值)40V
功率 - 最大值460mW基本产品编号NSS402

NSS40200LT1G手册

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NSS40200LT1G概述

NSS40200LT1G 产品概述

一、基本信息

NSS40200LT1G 是由 ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能PNP型双极晶体管(BJT),主要用于高功率开关和信号放大应用。此产品具有优越的电气性能和宽广的工作温度范围,非常适合于各种电子设备需求。

二、产品规格

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 产品状态: 有源元器件
  • 器件类型: PNP晶体管
  • 封装形式: SOT-23-3(TO-236)、SC-59
  • 包装方式: 卷带(TR)
  • 基本产品编号: NSS402

三、主要参数

  1. 电流和电压规格:

    • 集电极电流 (Ic): 最大值为2A,适合需要高电流驱动的应用。
    • 集射极击穿电压 (Vceo): 最大值为40V,适合于较高电压的电路环境。
    • 功率耗散: 最大功率为460mW,表明在高工作负载下依然能够良好运行。
  2. 电流增益:

    • 直流电流增益 (hFE): 在Ic = 500mA,Vce = 2V条件下,增益的最小值为220,确保在高负载下有效放大信号。
  3. 饱和压降:

    • Vce 饱和压降: 最大值为170mV,适用于高效能开关电路,降低开关损耗。
  4. 频率特性:

    • 跃迁频率: 100MHz,指明此部件在高频应用中的有效性能。
  5. 温度范围:

    • 工作温度: 从-55°C到150°C (TJ),使其在各种环境条件下都能稳定工作,适应工业、汽车、和消费电子等不同领域的需求。

四、应用领域

NSS40200LT1G 作为一款PNP型三极管,其应用广泛,涵盖多个领域:

  • 功率放大器: 由于其良好的电流增益和高功率处理能力,可用于音频放大器和无线电频率放大器。
  • 开关电路: 适用于电源开关、马达驱动及其他负载控制应用,尤其在需要高电流驱动的情况下,表现优越。
  • 信号调理: 在信号处理电路中,作为开关或放大元件,提供稳定的增益和低饱和压降,确保信号质量。
  • 汽车电子: 暴露于极端温度条件下仍能正常工作的能力,使其成为汽车应用中的理想选择。

五、封装与安装

NSS40200LT1G采用SOT-23-3表面贴装封装,尺寸小巧,适合现代电子设备对紧凑设计的要求,便于自动化生产和安装,同时可节省PCB空间,提升布局灵活性。

六、总结

综上所述,NSS40200LT1G是一款集高效、高性能于一体的PNP型三极管,凭借其良好的电流增益、低饱和压降和广泛的工作温度范围,满足了各种复杂应用的需求。无论在通信、工业控制、汽车电子还是消费类产品中,其广泛的适用性和可靠性使其成为设计者的首选元件之一。选择NSS40200LT1G,为您的设计提供强大的支持和保障。