MMSZ2V4T1G
MMSZ2V4T1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 100 Ohms | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 2.4V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 500mW |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50µA @ 1V | 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
MMSZ2V4T1G手册
MMSZ2V4T1G概述
MMSZ2V4T1G 产品概述
MMSZ2V4T1G 是一款高性能的稳压二极管，由知名的电子元器件制造商 ON Semiconductor（安森美）提供。其设计旨在为电路提供稳定的电压参考，主要应用于电源管理、过压保护及信号调节等领域。该产品在稳压性能、工作温度范围及封装设计等方面具备出色的特性，适合广泛的电子应用。
主要特性
电压特性： MMSZ2V4T1G 的标称齐纳电压（Vz）为 2.4V，具有很好的电压调节能力。当输入电压超过其齐纳电压时，稳压二极管会开始导通，从而将电压限制在 2.4V 附近。其容差为 ±5%，确保了在不同工作条件下的适配性和稳定性。
宽广的工作温度范围： 本系列二极管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，意味着其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于航空航天、工业控制及汽车电子等要求苛刻的应用场景。
低反向泄露电流： MMSZ2V4T1G 的反向泄漏电流（Ir）低至 50µA @ 1V，这在实际应用中有助于减少能量损耗并提高系统效率。较低的反向泄漏也降低了电路故障的风险，使其在高可靠性要求的环境中表现优异。
高功率处理能力： 该二极管的最大功率处理能力为 500mW，能够适应高功率的电流条件，满足不同电源管理需求。
封装与安装类型： MMSZ2V4T1G 采用 SOD-123 封装，这种表面贴装型设计使得其具备较小的占用空间，方便在密集的电路板设计中使用。该封装的优势在于可靠的性能表现和便于焊接的特点，利于现代电子生产工艺的应用。
正向电压特性： 在 10mA 的电流条件下，该稳压二极管的正向电压（Vf）为 900mV，这一性质对于正向导通的电路设计非常重要，能够确保其在开关状态下的快速响应。
应用领域
MMSZ2V4T1G 的设计使其在多个应用领域中表现卓越，主要包括：
电源管理电路：为各种电源模块，尤其是在需要精确电压稳压的应用中，提供可靠的电压参考。
过压保护：在电源端口或敏感电路的输入端，实时监测电压并提供过压保护，防止因电压瞬变造成的损坏。
信号调节：用于调节信号电压，确保后续电路部件的正常工作，尤其是在模拟和数字混合信号处理电路中。
结论
MMSZ2V4T1G 是一款多用途的稳压二极管，为工程师和设计师提供了一种解决电压调节问题的高效解决方案。凭借其卓越的电气性能、宽温度和高功率处理能力，该产品在各类电子设备中均显示出极高的价值。无论是在工业、消费电子还是高端通信设备中，MMSZ2V4T1G 都能满足设计要求，助力实现更为高效和可靠的电路设计。选择 ON Semiconductor 的 MMSZ2V4T1G，将为您的产品提供强有力的电压稳压保障。