类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5.3V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 7V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 14V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3A(8/20µs) |
电源线路保护 | 无 | 应用 | RF 天线 |
不同频率时电容 | 0.2pF @ 1MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0201(0603 公制) |
供应商器件封装 | 2-X3DFN(0.62x0.32) |
产品简介
ESD8472MUT5G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能齐纳二极管,专为支持高频率应用而设计,尤其适用于 RF 天线领域。该器件采用表面贴装型设计,封装尺寸为 0201(或 0603 公制),使其适合于紧凑的电路板布局,同时提供了高效的电气性能。
技术特点
反向电压特性:ESD8472MUT5G的反向断态电压(V_R),典型值为 5.3V,最大值可达到该值。这意味着它能在一定的电压条件下有效地防护电路,保证系统的正常工作。虽然其击穿电压(V_B)最小为 7V,但这对于保护敏感元件是非常关键的。
电压箝位能力:在不同的峰值脉冲电流(Ipp)下,该器件的最大箝位电压可达到 14V。这种高电压箝位能力确保在瞬态过压事件(如静电放电)发生时,可以有效地保护后续电路不遭受损坏。
脉冲电流承受能力:ESD8472MUT5G能够承受最大 3A 的峰值脉冲电流(在 10/1000µs 脉冲下),这使其非常适合于处理高能量瞬态事件,尤其是在 RF 应用中。
频率特性:该器件在 1 MHz 的测量条件下,表现出优秀的电容特性,典型电容为 0.2 pF。这一特性使得其在高频信号传输中几乎不会影响信号的完整性,非常适合 RF 天线以及其他高频信号应用。
工作温度范围:ESD8472MUT5G 的工作温度广泛,范围为 -55°C ~ 150°C,这意味着它可以在严苛的环境条件下持续可靠地工作。
应用场景
ESD8472MUT5G 主要用于 RF 天线的保护,然而,其广泛的特性使之适用于多种其他应用场景,包括:
封装与安装
ESD8472MUT5G 的 2-X3DFN(0.62x0.32mm)封装设计,使其能够在小空间内有效地集成。其表面贴装型的结构使得它在自动化生产中易于处理,提高了制造效率。
结论
ESD8472MUT5G 是一款高效、可靠的齐纳二极管,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用场景,成为 RF 天线及高频电路保护的理想选择。它的设计考虑了现代电子设备日益增长的对抗瞬态过压需求,为使用者提供了强有力的保护方案。无论是用于通信设备、消费电子,还是汽车电子,ESD8472MUT5G 都能展现出其出色的性能与可靠性。