ESD8472MUT5G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ESD8472MUT5G

商品编码: BM0184506066
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
2-X3DFN(0.62x0.32)
包装 : 
编带
重量 : 
0.01g
描述 : 
未分类
库存 :
10092(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.529
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.529
--
100+
¥0.365
--
500+
¥0.331
--
2500+
¥0.307
--
5000+
¥0.287
--
10000+
¥0.268
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

ESD8472MUT5G参数

类型齐纳双向通道1
电压 - 反向断态(典型值)5.3V(最大)电压 - 击穿(最小值)7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)14V电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)3A(8/20µs)
电源线路保护应用RF 天线
不同频率时电容0.2pF @ 1MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳0201(0603 公制)
供应商器件封装2-X3DFN(0.62x0.32)

ESD8472MUT5G手册

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ESD8472MUT5G概述

ESD8472MUT5G 产品概述

产品简介

ESD8472MUT5G 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能齐纳二极管,专为支持高频率应用而设计,尤其适用于 RF 天线领域。该器件采用表面贴装型设计,封装尺寸为 0201(或 0603 公制),使其适合于紧凑的电路板布局,同时提供了高效的电气性能。

技术特点

  1. 反向电压特性:ESD8472MUT5G的反向断态电压(V_R),典型值为 5.3V,最大值可达到该值。这意味着它能在一定的电压条件下有效地防护电路,保证系统的正常工作。虽然其击穿电压(V_B)最小为 7V,但这对于保护敏感元件是非常关键的。

  2. 电压箝位能力:在不同的峰值脉冲电流(Ipp)下,该器件的最大箝位电压可达到 14V。这种高电压箝位能力确保在瞬态过压事件(如静电放电)发生时,可以有效地保护后续电路不遭受损坏。

  3. 脉冲电流承受能力:ESD8472MUT5G能够承受最大 3A 的峰值脉冲电流(在 10/1000µs 脉冲下),这使其非常适合于处理高能量瞬态事件,尤其是在 RF 应用中。

  4. 频率特性:该器件在 1 MHz 的测量条件下,表现出优秀的电容特性,典型电容为 0.2 pF。这一特性使得其在高频信号传输中几乎不会影响信号的完整性,非常适合 RF 天线以及其他高频信号应用。

  5. 工作温度范围:ESD8472MUT5G 的工作温度广泛,范围为 -55°C ~ 150°C,这意味着它可以在严苛的环境条件下持续可靠地工作。

应用场景

ESD8472MUT5G 主要用于 RF 天线的保护,然而,其广泛的特性使之适用于多种其他应用场景,包括:

  • 通信设备:在无线通信设备中的应用,可以有效防止射频电路受到静电放电和瞬态电压的影响。
  • 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中,保护敏感的 RF 部件,确保信号清晰且不受干扰。
  • 汽车电子:尤其是在车载通信系统中,该器件提供了多重保护,确保汽车在遭受电气干扰时的系统稳定性。

封装与安装

ESD8472MUT5G 的 2-X3DFN(0.62x0.32mm)封装设计,使其能够在小空间内有效地集成。其表面贴装型的结构使得它在自动化生产中易于处理,提高了制造效率。

结论

ESD8472MUT5G 是一款高效、可靠的齐纳二极管,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用场景,成为 RF 天线及高频电路保护的理想选择。它的设计考虑了现代电子设备日益增长的对抗瞬态过压需求,为使用者提供了强有力的保护方案。无论是用于通信设备、消费电子,还是汽车电子,ESD8472MUT5G 都能展现出其出色的性能与可靠性。