晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 15V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 260mV @ 50mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 200mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.1W | 频率 - 跃迁 | 80MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
ZXT10N15DE6TA 产品概述
ZXT10N15DE6TA 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为各种电子电路应用设计,适合在频率高达 80MHz 的环境下工作,能够满足广泛的工程设计需求。其主要参数和特性使其在电源管理、信号放大和开关应用中具有广泛的适用性。
ZXT10N15DE6TA 的最大集电极电流(Ic)为 4A,这使其非常适合用于需要较高电流传输的应用场景,例如电机驱动、电源开关和负载控制。其集射极击穿电压(Vce)最大值为 15V,表明该晶体管能够在合理范围内承受高电压,适合于汽车电子、消费电子及工业设备等高电压环境。
在打开状态下,ZXT10N15DE6TA 具有非常低的饱和压降,仅 260mV(在 50mA 和 4A 的 Ic 模式下),这意味着在工作过程中能有效减少功耗,提高能效,进而降低设备的整体发热量。
该产品的集电极截止电流最大值仅为 100nA,说明其在关断状态下具备出色的漏电流控制能力,增强了系统的可靠性和稳定性。
ZXT10N15DE6TA 的 DC 电流增益(hFE)的最小值为 300,适用于各种放大器应用,能够提供高增益特性,无论是在信号放大还是在开关控制中,都表现出色。其最大功率处理能力为 1.1W,这对于许多小型工业和消费类设备而言,已经足够应对常见的应用需求。
该产品的跃迁频率高达 80MHz,这意味着 ZXT10N15DE6TA 能够处理高频信号,使其特别适合于 RF 应用、调制解调器和高速信号放大电路。此外,ZXT10N15DE6TA 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,使其在各种恶劣的环境条件下也能稳定工作,确保可靠性和性能的稳定性,特别适合于航空航天、军事和极端工业用途。
ZXT10N15DE6TA 采用 SOT-26 封装,表面贴装设计非常适合现代电子电路的需要。该种封装不仅有助于减小PCB尺寸,还可以提高散热效率,便于快速自动化生产。
由于其优越的电气特性和广泛的适应性,ZXT10N15DE6TA 可以在多个领域发挥关键作用,包括:
ZXT10N15DE6TA 是一款具有高效能、高稳定性和多用途的 NPN 晶体管,适合广泛的电子应用场景。其优秀的电气参数及适应温度范围使其成为现代电子工程师在设计和开发电路时的可靠选择。对于需要高电流、低饱和压降和高频响应的项目而言,这款晶体管将提供卓越的性能和可靠性,助力开发出更高效、更稳定的电子产品。