制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±25V |
功率耗散(最大值) | 2.7W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 漏源电压(Vdss) | 30V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 64.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2826pF @ 15V |
DMP3007SPS-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 通道 MOSFET,展现出卓越的性能和可靠性,广泛应用于电源管理和开关电路。这款 MOSFET 采用高效的 PowerDI5060-8 封装,适合边缘计算、消费电子、汽车电子及工业控制等各类应用。
高电流处理能力:该MOSFET在25°C条件下持续漏极电流达到90A,确保其在高负载条件下的可靠性,适用于对电流要求较高的场合。
低导通电阻:在特定条件下(10V Vgs 和 15A Id),其导通电阻最大值仅为7毫欧,极大地降低了功耗和热量产生,提高了系统的整体效率。
宽栅极驱动电压:该MOSFET可在4.5V至10V的驱动电压下工作,能够方便的适配各种控制逻辑,并增强了其在多种应用中的灵活性。
高耐压能力:其漏源电压 Vdss 高达30V,适合于低压应用,同时保证了不会因过压而导致器件损坏,增强了电路的稳定性。
广泛的工作温度范围:工作温度范围广泛,从-55°C 到 150°C,保证了在极端环境下的稳定性和可靠性。适用于各类环境,包括工业和汽车领域。
低栅极电荷量:在10V的Vgs下,该MOSFET的栅极电荷(Qg)最大值为64.2nC,显示其快速开关能力,这对于高频应用尤为重要。
良好的输入电容特性:在15V的Vds下,输入电容(Ciss)最大值为2826pF,提供了良好的频率特性,有助于更快的开关响应。
DMP3007SPS-13 由于其优异的参数表现,适合应用于多种场合,如:
DMP3007SPS-13是一款功能齐全、性能优异的P通道MOSFET,凭借其高电流承载能力和低导通电阻等特点,能够有效提高各种电子系统的效率与性能。凭借其广泛的应用范围和冷却性能,此器件无疑是设计工程师在电源管理应用中的理想选择。无论您是在构建创新技术产品,还是需要可靠的电源解决方案,DMP3007SPS-13都将成为您值得信赖的合作伙伴。