晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
产品类型 DDA144EH-7 是一款由 DIODES(美台)公司生产的数字晶体管,采用 SOT-563 封装,专为高效能电子应用设计。该器件具有两个 PNP 晶体管,预偏压式的设计使其在多种电路中的操作更为灵活,特别适用于模拟和数字信号处理。
基本参数 DDA144EH-7 的规格包括:
电流增益 DDA144EH-7 的 DC 电流增益 (hFE) 在不同的 Ic 和 Vce 条件下的最小值为 68 @ 5mA,5V。这一特性使得该晶体管在小信号放大的应用中表现出色。电流增益的高值意味着可以利用较小的基极电流控制较大的集电极电流,极大提高了电路的效率。
饱和压降 在特定的工作条件下,该器件的 Vce 饱和压降最大值为 300mV @ 500µA,10mA。这一参数显示出该器件在集电极和发射极之间的有效控制能力,在逻辑电路和开关应用中表现出较低的功耗,确保更高的运行效率。
频率响应 DDA144EH-7 的跃迁频率达到 250MHz,这使其适合于高速信号处理和通信领域的应用。较高的频率响应能够支持更快的数据传输率,满足当前对电路速度要求不断提高的趋势。
电阻器参数
封装 DDA144EH-7 采用 SOT-563 封装,体积小巧,非常适合于现代电子设备对空间和重量的严格要求。SOT-563 封装有助于实现紧凑的设计,便于在高密度电路板上实现更好的布局。
应用场景 DDA144EH-7 的设计使其在多种应用场景中具有广泛的适用性,主要包括:
结论 DDA144EH-7 数字晶体管凭借其出色的电气性能、小巧的封装形式及多样的应用场景,成为现代电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在提升电子设备的功能性还是提高系统整体的工作效率方面,该产品均展现出了良好的价值,是设计师和工程师们可靠的选择。对于寻求高效能和可靠性的电子解决方案的设计师来说,DDA144EH-7将是一个理想的选择。