DMG3415UFY4Q-7
DMG3415UFY4Q-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 16V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 282pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 650mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN2015-3 |
| 封装/外壳 | 3-XDFN |
DMG3415UFY4Q-7手册
DMG3415UFY4Q-7概述
产品概述：DMG3415UFY4Q-7
一、基本信息
DMG3415UFY4Q-7 是一款由美台（Diodes Incorporated）制造的 P 型 MOSFET（场效应管），其主要应用于低压和中压电源开关和信号开关电路。该器件具有优异的电性能以及广泛的适用性，尤其是在小型化和高效能的电子电路设计中，成为设计师的优选。
二、基础参数
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）: 16V
- 持续漏极电流（Id，＠25°C）: 2.5A
- 驱动电压: 最大 Rds On，最小 Rds On 为 1.8V 和 4.5V
- 导通电阻（Rds(on)，最大值）: 39 毫欧 @ 4A，4.5V
- 阈值电压（Vgs(th)，最大值）: 1V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg，最大值）: 10nC @ 4.5V
- 栅源极电压（Vgs，最大值）: ±8V
- 输入电容（Ciss，最大值）: 282pF @ 10V
- 功率耗散（最大值）: 650mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: X2-DFN2015-3
该产品专为高效能的低功耗应用设计，不仅具备相对较高的功率耗散能力，还能在宽广的工作温度范围内稳健运行。
三、性能优点
DMG3415UFY4Q-7 的P型设计使其在低侧开关应用中表现出色。其低 Rds(on) 特性（39毫欧）保证了在大电流下的低功耗，显著提升了系统的能效并降低了发热。这一优点非常适合用作电源开关以及在要求精确控制的电源管理系统中。
此外，较低的栅极电荷（Qg=10nC）还为驱动电路提供了较低的输入功耗，使得在高频应用中也能够实现快速切换。可以与多种驱动器和控制器兼容，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及其他自动化系统。
四、应用场景
DMG3415UFY4Q-7广泛应用于以下几种领域：
电源管理: 由于其低导通电阻和高电流承受能力，该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和线性稳压电源。
消费电子: 该 MOSFET 可以用于移动设备、笔记本电脑和其他便携式设备的电源控制，提高能效和续航能力。
汽车电子: 适合于汽车应用中的电机驱动，灯光控制和电力分配系统。
工业控制: 在自动化和控制系统中，该器件能够作为开关元件，提高系统稳定性。
五、总结
DMG3415UFY4Q-7 是一款高性能、经济实用的 P 型 MOSFET，因其低 Rds(on)、高效率和宽广的工作温度范围而备受青睐。适合于在多种电子设备中实现高效能电源管理，一览无余地满足了现代电子设计的需求。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车领域，该器件都展现出了极高的适应性与可靠性，是实现高效电路设计的理想选择。