FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 标准 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 220mA(Ta) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 欧姆 @ 100mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-SMD,无引线 |
供应商器件封装 | X2-DFN0806-6 |
DMP32D9UDA-7B 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件供应商 DIODES(美台)生产,采用先进的制造工艺和封装技术,旨在满足现代电子设备中对高效能和小型化的要求。该器件特别适合用于电源管理、负载开关和模拟开关等多种应用场合。
DMP32D9UDA-7B 使用 X2-DFN0806-6 封装,无引线设计,提供出色的散热性能和电气连接性。该封装尺寸小巧,即使在空间受到限制的电路设计中,亦可轻松集成。这使得 DMP32D9UDA-7B 成为便携式设备、消费电子以及嵌入式系统的理想选择。
在环境温度为 25°C 条件下,该器件的连续漏极电流(Id)达到 220mA,展现出良好的负载能力。DMP32D9UDA-7B 在 100mA 以及 4.5V 的偏置条件下,具有最大导通电阻(RDS(on))仅为 5 欧姆,这意味着在高负载条件下,器件能有效降低功耗和发热。此外,该器件在 250µA 的漏电流条件下,阈值电压(Vgs(th))最大值为 1V,确保其在精确控制的电流应用中具有较好的开关特性。
DMP32D9UDA-7B 具备宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,适用于苛刻的工作环境。这一特点使其特别适用于工业和汽车电子等领域,能够在高温和极低温的环境中依然稳定工作。这种卓越的温度性能,使得该元器件在各种历史和潜在的应用中拥有广泛的适应力。
DMP32D9UDA-7B 的设计使其在多种应用中表现出色,包括但不限于:
DMP32D9UDA-7B 作为一款双 P 沟道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围以及小巧的封装设计,是实现高效能和可靠性的关键组件。它的多功能性能使其适合多种市场应用,包括消费电子、汽车和工业控制等领域。无论是在高温还是低温环境下,DMP32D9UDA-7B 都能够稳定工作,为设计师提供了设计灵活性和电路稳定性,有助于推动现代电子产品的发展。