制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | Digi-Key 停产 | 晶体管类型 | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V | 频率 - 跃迁 | 80MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
功率 - 最大值 | 450mW |
DP0150BLP4-7B 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 PNP 雙極型晶体管(BJT),它专为需要低功耗和高频率性能的应用而设计。这款晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,具有多种优异的电气特性,适合于广泛的电子电路中如放大器、开关电源和线性稳压器等。
晶体管类型: PNP
高增益:
低饱和压降:
高频性能:
宽工作温度范围:
低集电极截止电流:
较高的电压和电流承受能力:
封装与安装类型:
DP0150BLP4-7B 是一款多功能的 PNP 晶体管,适用于以下几种应用场景:
作为 Diodes Incorporated 的一款停产产品,DP0150BLP4-7B 凭借其出色的参数性能,适合多种高性能的电子应用。尽管该产品在市场上可能已经不再供应,但其设计和应用的理念仍然对后续产品的开发提供了有价值的参考。对于想要在电路设计中提高性能的工程师来说,了解其特性及应用场合是非常重要的。