DCX114EUQ-13-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DCX114EUQ-13-F

商品编码: BM0183300227
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
其他双极型晶体管(BJT)
库存 :
19750(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.601
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.601
--
100+
¥0.415
--
500+
¥0.377
--
2500+
¥0.349
--
5000+
¥0.327
--
10000+
¥0.305
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DCX114EUQ-13-F参数

功率(Pd)200mW商品分类数字晶体管
工作温度-55℃~+150℃最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)3V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA

DCX114EUQ-13-F手册

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DCX114EUQ-13-F概述

DCX114EUQ-13-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的其他双极型晶体管(BJT),采用 SOT363 封装。该元器件在现代电子设备中扮演着至关重要的角色,广泛应用于信号放大、开关控制及其他各种电流放大的应用中。在以下部分,我们将详细介绍该产品的规格、应用以及设计考虑因素。

1. 产品规格

DCX114EUQ-13-F 属于 NPN型双极晶体管,具有以下主要电气特性:

  • 最大集电极电流(Ic):通常在 500 mA 左右,使其适用于中高功率的应用。
  • 最大集电极-发射极电压(Vceo):一般可达到 30V,适合用于各种电源电压的场合。
  • 增益特性(hFE):增益范围通常在 100 到 300 之间,能够有效地放大输入信号。
  • 工作温度范围:通常工作温度可在 -40°C 至 +85°C 之间,适应于多种严苛环境。

SOT363 封装的优势在于其小型化和良好的散热性能,使 DCX114EUQ-13-F 可在空间受限的应用中使用,同时也有助于降低功耗,提升整体能效。

2. 应用场景

DCX114EUQ-13-F 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、通信设备和医疗设备等多个领域,其主要应用场合包括但不限于:

  • 信号放大:适合于音频放大器、无线信号发射和接收系统中,能够有效增强微弱信号。
  • 电源开关:可用作DC-DC转换器中的开关元件,帮助提高电源的转换效率,实现高效电源管理。
  • 驱动电路:适用于频繁切换的负载驱动,如LED照明、马达驱动等,在这些应用中,双极晶体管能够快速响应,实现高效控制。
  • 转换应用:在模拟电路中,实现模拟信号的转换与处理,如音频处理或传感器信号处理。

3. 设计考虑因素

在设计使用 DCX114EUQ-13-F 的电路时,有几个因素需要特别关注:

  • 热管理:由于双极晶体管在工作时会产生热量,因此在设计电路时需要考虑散热措施,如合理布局和选择合适的散热片。
  • 偏置电路的设计:为了确保晶体管正常工作,设计合适的偏置电路是至关重要的,这不仅能影响增益,还会影响线性工作范围。
  • 频率响应:在高频应用中,需要考虑电路的带宽和响应时间,确保 DCX114EUQ-13-F 在工作频率下能够稳定工作,不产生过多的失真。
  • 集成与布局:SOT363 封装片小,需合理布局电路板,以减小引线电感造成的信号干扰,确保信号传输的完整性。

4. 结论

DCX114EUQ-13-F 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管,凭借其优秀的电气性能、广泛的应用领域和紧凑的封装设计,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在低功耗的信号放大还是在高功率的开关控制应用中,DCX114EUQ-13-F 都能够满足设计师的需求,并提供可靠的性能。通过对该元器件特性的深入理解,设计者能够为其应用领域提供高效、稳定和创新的解决方案。