功率(Pd) | 200mW | 商品分类 | 数字晶体管 |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@5V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA |
DCX114EUQ-13-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的其他双极型晶体管(BJT),采用 SOT363 封装。该元器件在现代电子设备中扮演着至关重要的角色,广泛应用于信号放大、开关控制及其他各种电流放大的应用中。在以下部分,我们将详细介绍该产品的规格、应用以及设计考虑因素。
DCX114EUQ-13-F 属于 NPN型双极晶体管,具有以下主要电气特性:
SOT363 封装的优势在于其小型化和良好的散热性能,使 DCX114EUQ-13-F 可在空间受限的应用中使用,同时也有助于降低功耗,提升整体能效。
DCX114EUQ-13-F 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、通信设备和医疗设备等多个领域,其主要应用场合包括但不限于:
在设计使用 DCX114EUQ-13-F 的电路时,有几个因素需要特别关注:
DCX114EUQ-13-F 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管,凭借其优秀的电气性能、广泛的应用领域和紧凑的封装设计,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在低功耗的信号放大还是在高功率的开关控制应用中,DCX114EUQ-13-F 都能够满足设计师的需求,并提供可靠的性能。通过对该元器件特性的深入理解,设计者能够为其应用领域提供高效、稳定和创新的解决方案。