DMP2900UW-13
DMP2900UW-13参数
| 功率(Pd) | 300mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.4pF@16V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05Ω@2.5V,0.5A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 49pF@16V | 连续漏极电流(Id) | 600mA |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA |
DMP2900UW-13手册
DMP2900UW-13概述
DMP2900UW-13 产品概述
一、产品简介
DMP2900UW-13是一款高性能的P沟道场效应管（MOSFET），具有300mW的功率处理能力和最高20V的耐压特性，能够承受高达600mA的连续电流。该器件采用SOT-323封装，体积小巧，适用于紧凑型电子设备。作为DIODES（美台）品牌的一员，DMP2900UW-13兼具高效、可靠和兼容性的特点，广泛应用于各种低功耗和高效能的电路设计中。
二、基本参数
- 型号：DMP2900UW-13
- 类型：P沟道MOSFET
- 功率：300mW
- 耐压：20V
- 最大连续电流：600mA
- 封装形式：SOT-323
- 工作温度范围：通常为-55℃至150℃
三、产品特性
低导通电阻：DMP2900UW-13具有较低的导通电阻（RDS(on)），可以在较小的驱动电压下实现较高的电流承载能力，进而提高系统的能效和可靠性。
快速开关时间：该MOSFET具有较快的开关速度，适合用于切换和调制应用，可广泛应用于开关电源、电机驱动和信号调理等电路中。
导通电压低：在相同的条件下，DMP2900UW-13所需的栅源电压较低，这使其在电池供电和低电压系统中尤其有用，有助于延长电池寿命。
热稳定性：DMP2900UW-13在高温环境下表现出良好的热稳定性，能够适应各种工作环境，确保器件在极端条件下正常工作。
四、应用场景
DMP2900UW-13适用于多种应用场景，包括但不限于：
便携式设备：由于其小型化的SOT-323封装和高效能，DMP2900UW-13非常适合用于手机、平板电脑、便携式音响等便携式电子设备中。
电池管理系统：MOSFET的高转化效率和低静态功耗特性，使其成为电池管理和充电电路的理想选择，能够优化电池使用和充电效率。
开关电源：在现代开关电源设计中，DMP2900UW-13的低导通电阻和快速开关能力使其能够有效降低能量损耗，提升电源稳定性和效率。
LED驱动电路：在LED驱动和灯控电路中，DMP2900UW-13能够提供所需的切换性能和电流控制能力，从而为各种照明应用提供可靠的解决方案。
五、总结
DMP2900UW-13是一款性能优越的P沟道MOSFET，凭借其300mW的功率处理能力、20V的耐压及600mA的电流承载能力，成为了众多电子设计工程师的首选器件。其低导通电阻、快速开关时间和良好的热稳定性，使得它在多个应用领域获得广泛认可。无论是在便携式设备、开关电源，还是电池管理系统中，DMP2900UW-13都能提供极其可靠的性能和高效能，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。