DMC2710UV-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMC2710UV-13

商品编码: BM0183300219
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 460mW 20V 800mA;1.1A 1个N沟道+1个P沟道 SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.78
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.78
--
100+
¥0.538
--
500+
¥0.489
--
2500+
¥0.453
--
5000+
¥0.424
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC2710UV-13参数

FET 类型N 和 P 沟道互补型FET 功能标准
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.1A(Ta),800mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 600mA,4.5V,700 毫欧 @ 430mA,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)600pC,700pC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)42pF,49pF @ 16V
功率 - 最大值460mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-563

DMC2710UV-13手册

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DMC2710UV-13概述

DMC2710UV-13 产品概述

产品概述

DMC2710UV-13 是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),由美台半导体(DIODES)公司设计,采用SOT-563表面贴装封装。该器件融合了N沟道和P沟道MOSFET,广泛适用于要求高效率和紧凑设计的电子应用场合。其核心优势在于优异的电压与电流特性,以及广泛的工作温度范围,为多种应用提供了可靠的解决方案。

技术参数

DMC2710UV-13的主要技术参数如下:

  • FET 类型:N沟道及P沟道互补型设计,适用于多种电路配置。
  • 漏源电压 (Vdss):最高可达20V,能够满足大多数低电压应用的需求。
  • 连续漏极电流 (Id):在25°C环境温度下,器件可以承受高达1.1A的漏电流,P沟道基于同样条件下最大为800mA,适合需要较高输出电流的负载。
  • 导通电阻 (Rds(on)):在不同工作电流和栅源电压条件下,N沟道的最大导通电阻为400毫欧(在600mA,Vgs=4.5V时),而P沟道最大为700毫欧(在430mA,Vgs=4.5V时),保证了低损耗和高效能。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)):最大值为1V(在250µA时测得),适当控制栅源电压以实现精确的导通与关断。
  • 栅极电荷 (Qg):在高达600pC及700pC的下,他为设计者在驱动电路时提供了有效的电流消耗低的方案。
  • 输入电容 (Ciss):最大值为42pF,伴随49pF @ 16V,可帮助改善开关速度。
  • 功率额定值:最大功耗可达460mW(在TA下)。
  • 工作温度范围:器件额定的工作温度范围为-55°C至150°C,使其适合各种环境条件下的应用。
  • 封装:SOT-563,体积小巧便于表面贴装,适合高密度电路设计。

应用场合

DMC2710UV-13器件的设计使其非常适合以下应用场合:

  1. DC-DC 转换器:其低导通电阻可以有效降低转换损耗,提高整体效率。
  2. 电机驱动:能够提供高电流输出,从而适用于小型电机驱动电路。
  3. 开关电源:借助其宽电压和电流范围,在开关电源中用作开关管,有助于提升功率密度。
  4. 电源管理:可用于各种电源管理电路中,增强功率管理效率。
  5. 便携式设备:由于其小巧的封装和低功耗特性,适合应用于手机及其他便携式电子设备中。

优势总结

DMC2710UV-13作为一款优质的互补型MOSFET,具备了低导通电阻、高效率以及广泛的工作温度范围等特点。它的设计旨在满足现代电子设备对功率、热管理和尺寸的严苛要求。其通用性能使得DMC2710UV-13成为设计师优先考虑的方案,能够为各种电子产品提供稳定可靠的电源管理解决方案。

在考虑产品的可靠性与耐高温性能时,DMC2710UV-13也能提供卓越的经济效益,这使得其在日益严峻的市场竞争中脱颖而出,是电子设计师和工程师可以信赖的选择。无论是在工业、消费电子还是便携设备领域,DMC2710UV-13都将为您提供无与伦比的优势与表现。