FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A(Ta),800mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 600mA,4.5V,700 毫欧 @ 430mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 600pC,700pC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 42pF,49pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 460mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
产品概述
DMC2710UV-13 是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),由美台半导体(DIODES)公司设计,采用SOT-563表面贴装封装。该器件融合了N沟道和P沟道MOSFET,广泛适用于要求高效率和紧凑设计的电子应用场合。其核心优势在于优异的电压与电流特性,以及广泛的工作温度范围,为多种应用提供了可靠的解决方案。
技术参数
DMC2710UV-13的主要技术参数如下:
应用场合
DMC2710UV-13器件的设计使其非常适合以下应用场合:
优势总结
DMC2710UV-13作为一款优质的互补型MOSFET,具备了低导通电阻、高效率以及广泛的工作温度范围等特点。它的设计旨在满足现代电子设备对功率、热管理和尺寸的严苛要求。其通用性能使得DMC2710UV-13成为设计师优先考虑的方案,能够为各种电子产品提供稳定可靠的电源管理解决方案。
在考虑产品的可靠性与耐高温性能时,DMC2710UV-13也能提供卓越的经济效益,这使得其在日益严峻的市场竞争中脱颖而出,是电子设计师和工程师可以信赖的选择。无论是在工业、消费电子还是便携设备领域,DMC2710UV-13都将为您提供无与伦比的优势与表现。