功率(Pd) | 2.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 56pF@40V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,50A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 76nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 80V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.6nF@40V | 连续漏极电流(Id) | 100A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.8V@95uA |
BSC030N08NS5 是一款由英飞凌(Infineon)公司设计和制造的 N 沟道场效应管(MOSFET),其工作电压为 80V,额定电流高达 100A,功耗可达 2.5W。此型号采用 PG-TDSON-8 封装,尺寸为 5x6mm,广泛应用于各种高效能与高功率需求的电子电路中。
BSC030N08NS5 适用于多种电子应用,包括但不限于:
在设计电路时,工程师需要特别关注 BSC030N08NS5 的散热管理。由于其高电流输出特性,合理的散热设计将有助于延长MOSFET的使用寿命。此外,在电路设计中需要配置适当的驱动电路,以确保MOSFET可快速开关,进而优化整机效率。
选择英飞凌的 BSC030N08NS5,设计师将受益于该公司在半导体领域的长期技术优势和行业经验。它的高可靠性、高效率及广泛的应用灵活性,使得这个 MOSFET 成为现代电子设计中的热门选择。
综上所述,BSC030N08NS5 是一款兼具高效率与高电流承载能力的 N 沟道 MOSFET,适合多种电源管理及电机驱动应用。其低导通电阻和优异的开关特性,将为各种高性能电子设备提供理想的解决方案。无论在设计新设备还是升级现有产品时,此款 MOSFET 都将是工程师们的首选。