BSC030N08NS5 产品实物图片
BSC030N08NS5 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BSC030N08NS5

商品编码: BM0183300143
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 80V 100A 1个N沟道 TDSON-8-EP(5x6)
库存 :
24511(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
5.14
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.14
--
100+
¥4.28
--
1250+
¥3.97
--
2500+
¥3.79
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC030N08NS5参数

功率(Pd)2.5W反向传输电容(Crss@Vds)56pF@40V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3mΩ@10V,50A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)76nC@10V
漏源电压(Vdss)80V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)5.6nF@40V连续漏极电流(Id)100A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.8V@95uA

BSC030N08NS5手册

BSC030N08NS5概述

BSC030N08NS5 MOSFET 产品概述

1. 产品简介

BSC030N08NS5 是一款由英飞凌(Infineon)公司设计和制造的 N 沟道场效应管(MOSFET),其工作电压为 80V,额定电流高达 100A,功耗可达 2.5W。此型号采用 PG-TDSON-8 封装,尺寸为 5x6mm,广泛应用于各种高效能与高功率需求的电子电路中。

2. 主要特点

  • 高功率处理能力:具有 100A 的最大持续电流能够满足高要求应用的需求,确保在严苛环境下的稳定运行。
  • 低导通电阻:该元器件的 RDS(on) 值极低,能够有效减少开关损耗与热量生成,从而提高能效与可靠性。
  • 宽工作电压范围:额定电压为 80V,适用于较高电压的电源管理和转换应用。
  • 优异的开关特性:具备快速的开关速度和良好的频率响应,利于高效的开关电源设计。
  • 紧凑的封装设计:PG-TDSON-8 封装使得PCB空间利用率更高,有助于减小设备体积,提高设计灵活性。

3. 应用场景

BSC030N08NS5 适用于多种电子应用,包括但不限于:

  • 电源管理:广泛用于服务器、工业电源和电源适配器中,以实现高效的功率转换与管理。
  • 电机驱动:最佳解决方案之一,适合在电动汽车、电动工具以及其他电机驱动应用中作为开关元件。
  • LED驱动电路:提供即时开关能力,有效控制LED照明系统的性能与效果。
  • DC-DC 转换器:相对高电流和高电压的应用,使得该 MOSFET 成为理想的选择,确保转换过程高效且稳定。

4. 规格参数

  • 类型:N沟道MOSFET
  • 最大直流电压:80V
  • 最大连续漏电流:100A
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:PG-TDSON-8(5x6mm)
  • 工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  • RDS(on):具体值需参考数据手册,通常在不同行业标准中较低。

5. 设计考虑

在设计电路时,工程师需要特别关注 BSC030N08NS5 的散热管理。由于其高电流输出特性,合理的散热设计将有助于延长MOSFET的使用寿命。此外,在电路设计中需要配置适当的驱动电路,以确保MOSFET可快速开关,进而优化整机效率。

6. 竞争优势

选择英飞凌的 BSC030N08NS5,设计师将受益于该公司在半导体领域的长期技术优势和行业经验。它的高可靠性、高效率及广泛的应用灵活性,使得这个 MOSFET 成为现代电子设计中的热门选择。

结语

综上所述,BSC030N08NS5 是一款兼具高效率与高电流承载能力的 N 沟道 MOSFET,适合多种电源管理及电机驱动应用。其低导通电阻和优异的开关特性,将为各种高性能电子设备提供理想的解决方案。无论在设计新设备还是升级现有产品时,此款 MOSFET 都将是工程师们的首选。