BSC190N15NS3GATMA1
BSC190N15NS3GATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 90µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2420pF @ 75V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-1 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC190N15NS3GATMA1手册
BSC190N15NS3GATMA1概述
BSC190N15NS3GATMA1 产品概述
BSC190N15NS3GATMA1 是 Infineon（英飞凌）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（金属氧化物场效应管），采用现代先进的材料和工艺技术设计，旨在满足各种电力电子应用的需求。该器件以其卓越的电气特性和广泛的适用性在业界享有良好的声誉，尤其适合于高压和高电流的工作环境。
主要参数与特性
漏源电压（Vdss）: BSC190N15NS3GATMA1 的最大漏源电压达到 150V，使得该 MOSFET 可用于高压应用，例如电源管理、逆变器及电动汽车等领域。
持续漏极电流（Id）: 在 25°C 的条件下，器件可承受的连续漏极电流高达 50A，显示出其出色的电流承载能力，适合需要高电流负载的应用。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极电压下，最大导通电阻为 19 毫欧。当栅极电压达到 10V 时，提供低损耗和高效率的开关性能，特别适合高频和高效率的切换应用。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为 4V，确保器件在较低的栅极驱动电压下能够有效导通，增强了设计灵活性。
输入电容（Ciss）: 当 Vds 为 75V 时，输入电容为 2420pF，这有助于提高开关速度，降低开关损耗，为高频开关应用提供支持。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 31nC（在 10V 栅驱动下），使得器件在频繁切换时具有较快的响应速度和更低的驱动功耗。
温度特性: 该器件具备 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，适合在极端环境下使用。
功率耗散: 最大功率耗散为 125W，确保在高功率应用中仍能保持良好的工作稳定性。
封装与安装
BSC190N15NS3GATMA1 采用 PG-TDSON-8-1 封装，适用于表面贴装（SMD）技术，使设计更为紧凑并便于自动化组装。该封装结构不仅减少了占板空间，还有助于提高散热性能，增强器件的可靠性。
应用领域
凭借其出色的电气性能，BSC190N15NS3GATMA1 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电力转换器: 用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中，以提高效率和降低热量损失。
- 电动汽车: 在电动汽车的动力驱动系统中，为电机控制及充电系统提供高效的开关解决方案。
- 开关电源: 用于高功率开关电源设计，满足严苛的效率和性能要求。
- 工业电源: 在工业自动化和控制系统中，仅需较小的驱动电压即可有效控制大电流应用。
结论
BSC190N15NS3GATMA1 是一款功能强大且高效的 N 通道 MOSFET，适合广泛的电力电子应用。高电压、高电流、低导通电阻的特性使其在电源管理、逆变器及电动汽车等领域展现出极大的潜力。凭借 Infineon 在半导体行业的信誉和技术积累，BSC190N15NS3GATMA1 为设计工程师提供了可靠的解决方案，以应对日益增长的电力电子需求。