DMTH10H017LPDQ-13

DMTH10H017LPDQ-13 产品概述

概述

DMTH10H017LPDQ-13 是一款由 DIODES（美台）公司制造的 N 沟道 MOSFET，具备卓越的性能和灵活的应用场景。其额定电压高达 100V，适合于高电压电源管理和开关应用。封装采用 PowerDI5060-8，具有良好的热导性能和紧凑的尺寸，极大地提高了整体设备的空间利用率。

主要特点

1. 高电压耐受性：该MOSFET的额定电压为100V，能够满足大多数需要高耐压保护的应用需求，如DC-DC转换、马达驱动和电源开关。

2. 优越的导通电阻：DMTH10H017LPDQ-13在开态时的导通电阻（RDS(ON)）极低，可以有效减少功耗，并提高系统的整体效率。这一特性使其非常适合需要高效率和低发热量的应用场合。

3. 快开关特性：高达10V的栅极驱动电压（VGS），结合快速的开关特性，能够实现高频率的开关操作，从而提升系统的性能，和有效减少电源转换损耗。

4. 出色的热性能：采用PowerDI-5060-8封装，提供了优良的散热性能，通过最大化的热接触面积，帮助设备更好地管理温度，保证1.0英寸2.0英寸布局的PCB设计的可靠性。

应用场景

DMTH10H017LPDQ-13 的设计使其适用于各种应用，包括但不限于：

• 开关电源：可用于AC-DC和DC-DC转换器，在高效能和小体积中找到平衡。
• 电机驱动：适合大多数电机控制系统，提供高效的功率开关支持。
• 电池管理系统：在智能手机、平板电脑等便携设备中，负责电源的高效切换和管理。
• 蓄电池供电的设备：在电池的充放电过程中，需要对电压和电流进行高效控制。

性能指标

• 最大漏极到源极电压 (VDS): 100V
• 最大漏极电流 (ID): 10A
• RDS(ON): < 17mΩ @ VGS = 10V
• 封装类型: PowerDI-5060-8
• 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

结论

DMTH10H017LPDQ-13 N 沟道 MOSFET 是一款在设计上融合了高电压、高效能和良好散热性能的理想元件。凭借其卓越的电气特性和紧凑封装，它为现代电子设备的高效运作提供了极大的便利。无论是在高频开关电源、马达驱动还是电池管理等应用中，其优越的性能都能为设计师和工程师提供可靠的解决方案。

选择 DMTH10H017LPDQ-13 的理由

在日益求索高效、紧凑和可靠的电子解决方案的背景下，选择 DMTH10H017LPDQ-13 不仅是对性能的追求，更是对未来电子设计的承诺。无论是工业应用还是消费电子领域，这款 MOSFET 都能助力团队实现更高的产品目标和市场竞争力。