晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 400mA,4A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1A,2V |
功率 - 最大值 | 1.2W | 频率 - 跃迁 | 130MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
ZXTN2020FTA是一款高性能的NPN型晶体管,属于双极型晶体管(BJT)系列,适用于各种电子应用领域。该器件由DIODES公司提供,封装类型为SOT-23,具有体积小、性能优秀的特点,非常适合表面贴装应用。无论是在高频信号放大、开关电源、还是其它数据信号处理方面,ZXTN2020FTA都能展现出良好的性能。
晶体管类型: ZXTN2020FTA为NPN晶体管,能够承受高达4A的集电极电流(Ic),这使得它在需要较大电流驱动的应用中表现出色。
最大击穿电压: 针对集射极击穿,ZXTN2020FTA的最大电压为100V,使其可在相对较高的电压环境下稳定工作。
饱和压降: 在满载电流下(4A),此器件的集电极-发射极饱和压降(Vce(sat))最大为150mV(在400mA时),表明在开启过程中,能量损失极小,这使得该晶体管在效率要求高的电源电路中非常受欢迎。
截止电流: ZXTN2020FTA的集电极截止电流最大值为20nA,表现出良好的电气隔离性,这对于需要长时间保持关闭状态的电路尤为重要。
DC电流增益(hFE): 此晶体管在1A的工作条件下,hFE的最小值为100,提供了良好的放大能力,适用于频繁的信号放大应用。
功率处理能力: 最大功率为1.2W,适合中等功率的应用,并能处理较高的瞬态电流。
共鸣频率: ZXTN2020FTA在高达130MHz的频率下表现稳定,适用于高频应用,如RF放大器及调制解调器。
工作温度范围: ZXTN2020FTA的工作温度广泛,从-55°C至150°C,能够在极端环境下正常工作,满足航空航天、汽车及工业控制等领域的严格要求。
ZXTN2020FTA采用SOT-23封装,紧凑的设计使其适合现代电子设计的紧凑空间,且便于自动化焊接。有利于在PCB设计中实现高密度布线,符合小型化、快速化的产品开发需求。
由于其卓越的电气性能,ZXTN2020FTA适合应用于多个领域,包括:
开关电源: 其低饱和压降和高电流承载能力使其非常适合用作开关电源中的开关元件。
信号放大: 凭借其优良的频率响应,在音频和射频信号放大中发挥重要作用。
汽车电子: 宽广的工作温度范围和高可靠性使其成为汽车仪表板、动力系统及安全系统的重要组成部分。
工控设备: 在工业自动化设备中使用ZXTN2020FTA能够增强系统的控制精度与响应速度。
综上所述,ZXTN2020FTA作为一款高效的NPN晶体管,凭借其杰出的电气参数以及宽泛的应用场景,已成为现代电子设计中不可或缺的重要器件之一。无论是在功率管理、信号处理还是工业应用领域,ZXTN2020FTA都能满足从初始设计到批量生产的多种要求,是工程师的理想选择。