NSR01L30MXT5G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NSR01L30MXT5G

商品编码: BM0178589559
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
X3DFN-2
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
肖特基二极管 460mV@10mA 30V 500nA@30V 100mA X3DFN
库存 :
24(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.887
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.887
--
100+
¥0.612
--
500+
¥0.556
--
2500+
¥0.515
--
5000+
¥0.481
--
10000+
¥0.45
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

NSR01L30MXT5G参数

制造商ON Semiconductor包装卷带(TR)
零件状态有源二极管类型肖特基
电流 - 平均整流 (Io)100mA(DC)速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
安装类型表面贴装型封装/外壳0201(0603 公制)
供应商器件封装2-X3DFN(0.62x0.32)工作温度 - 结150°C(最大)
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)460mV @ 10mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500nA @ 30V基本产品编号NSR01L

NSR01L30MXT5G手册

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NSR01L30MXT5G概述

产品概述:NSR01L30MXT5G 肖特基二极管

1. 概述

NSR01L30MXT5G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的一款高性能肖特基二极管,专为满足各种电子设备中对高效能、低电压降和小尺寸需求而设计。其独特的结构和材料使其在快速开关和低反向恢复电流的应用中表现优异,适用于消费类电子、工业设备及汽车电子等多种应用场景。

2. 基本参数

该二极管的主要参数包括:

  • 最大平均整流电流 (Io):100mA(直流),提供稳定高效的整流性能。
  • 最大直流反向电压 (Vr):30V,适合多种工作环境。
  • 正向电压 (Vf):460mV @ 10mA,低电压降提升了电路的工作效率。
  • 反向泄漏电流:在30V的反向电压下,反向泄漏电流仅为500nA,显著提高了电源效率并降低了待机功耗。

3. 速度与性能

NSR01L30MXT5G 的设计考虑到了高速应用,其快恢复特性使其在 ≤ 500ns 的开关速度下依然能够保持良好的性能。正电流 (If) 高达 200mA 的场景中,二极管依然能够快速响应,大幅降低功耗和发热。对于电源管理、开关电源和高频信号整流,该二极管都是一个理想选择。

4. 封装与安装

  • 封装类型:二极管采用 0201(0603 公制)大小的卷带(TR)封装,这种小巧的封装设计使其适用于紧凑型电路板,提高了空间利用效率。
  • 安装类型:表面贴装型 (SMD),适合现代高密度的PCB设计,简化了生产线上的自动化装配。

5. 工作温度

此款肖特基二极管的结温最高可达 150°C,适应各种极端环境条件。其宽广的工作温度范围,让其在电子产品的各种信号和功率传输中都能保持稳定表现。

6. 应用领域

NSR01L30MXT5G 肖特基二极管广泛应用于以下领域:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑、电子玩具等,提升电源转化效率,延长电池使用寿命。
  • 工业控制:用于电源管理,开关电源设计,确保低电压降及高效能的整流需求。
  • 汽车电子:在汽车电源电路中,兼顾高温耐受性与稳定性,保障安全高效的动力传输。

7. 竞争优势

NSR01L30MXT5G 在市场上具有众多竞争优势:

  • 高效能:低正向电压和极小的反向泄漏电流,使得产品的能效比高,有助于降低整体能耗。
  • 小型化设计:0201 的小型封装,适合当今不断向小型和便携方向发展的电子设备。
  • 温度耐耐受性:最大结温 150°C,适应了更广泛的应用环境,为设计师提供了更大的设计灵活性。

8. 总结

NSR01L30MXT5G 是一款结合高性能、低功耗及紧凑尺寸的肖特基二极管,为现代电子产品的设计提供了理想的解决方案。无论是在高频励磁、低电压转换,还是在复杂的电路设计中,这款二极管都能够展现出其优异的电气性能和可靠性,是具备竞争优势的电子元件选择。它不仅能够满足当今市场对电子设备的高效能需求,同时也为未来的技术发展提供了坚实的基础。