注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN4036LK3-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TO252
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.12W 40V 8.5A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
2498(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.95按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.95
--
100+
￥1.5
--
1250+
￥1.31
--
2500+
￥1.23
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN4036LK3-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 453pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.12W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMN4036LK3-13手册
无数据
DMN4036LK3-13概述
DMN4036LK3-13 产品概述
基本信息
DMN4036LK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET，来自知名品牌DIODES（美台）。该器件采用表面贴装型（SMD）TO-252（又称DPAK）封装，具有出色的热性能和小型化的特点，非常适合于现代电子设备中的高集成度设计。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的漏源电压为40V，这使其能够在多个应用中以相对较高的电压工作，而不会出现击穿问题。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该器件支持连续漏极电流达8.5A，这一能力使得DMN4036LK3-13适用于需要较大电流输出的电路。
- 导通电阻（Rds On）: 在10V的栅驱动电压下，最大导通电阻为36毫欧，这一较低的导通电阻在高频开关电源和功率放大器等应用中能够显著降低功耗，提高效率。
- 栅极电压（Vgs）: 此器件支持±20V的栅压，这使得它能在多种驱动电压条件下稳定工作。最小和最大导通电压为4.5V和10V，提供了灵活的驱动选择。
- 导通阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的导通阈值电压最大值为3V（@250µA），有助于降低MOSFET的驱动电压需求，提高整体电路的设计灵活性。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V下，栅极电荷最大为9.2nC，表明其在开关操作中的驱动能力，适合用于高频切换应用。
功率与热性能
DMN4036LK3-13最大功率耗散为2.12W（在25°C环境温度下），这为设计者提供了一个相对宽松的热设计余地。工作温度范围广泛，从-55°C至150°C，意味着该元件能够在严苛的环境条件下运行，适用于工业、汽车和通信等领域。
应用领域
DMN4036LK3-13适合广泛的应用，包括但不限于：
- 开关电源
- 电机驱动
- DC-DC转换器
- 功率管理电路
- 半导体存储器驱动
此外，由于其高效的导通性能和优越的热管理能力，该MOSFET也非常适合用于负载开关和过流保护电路中。
封装与安装
DMN4036LK3-13采用TO-252封装，具有良好的散热特性，方便在PCB上进行表面贴装。这一封装类型的设计使得元件在集成度较高的电路中能够有效节省空间，同时也能在不同的应用中实现简单而可靠的布局。
结论
总之，DMN4036LK3-13是一款性能卓越、灵活性强的N沟道MOSFET，其丰富的电气特性和广泛的应用潜力使其成为电子设计工程师在功率管理和驱动应用中的理想选择。无论是在要求高效率的电源设计还是在温度变化大的严苛环境中，DMN4036LK3-13都能够提供可靠的解决方案。