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SI7439DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.129g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.9W 150V 3A 1个P沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
89.8按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥89.8
--
100+
￥83.15
--
750+
￥80.73
--
1500+
￥78.38
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7439DP-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 135nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7439DP-T1-GE3手册
无数据
SI7439DP-T1-GE3概述
SI7439DP-T1-GE3 产品概述
概述
SI7439DP-T1-GE3 是一款高性能 P 通道 MOSFET，由 VISHAY（威世）公司制造，广泛应用于现代电子设备中。该器件的设计旨在提供优越的电流控制和高效的电能传输，适用于需要高电压和高电流工作的电路。这款 MOSFET 的主要特点包括其最大漏源电压为 150V，持续漏极电流可达 3A，具备优良的导通电阻和功率耗散能力，使其成为各种电源管理、开关电源和电机控制应用的理想选择。
关键参数
- FET 类型：P 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss)：150V
- 连续漏极电流 (Id)：3A （在 25°C 时）
- 驱动电压：适用于 6V 至 10V 的驱动范围
- 导通电阻：在 10V 下，5.2A 时最大导通电阻为 90 毫欧
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大 4V（在 250µA 下）
- 栅极电荷 (Qg)：在 10V 下最大 135nC
- 最大栅源电压 (Vgs)：±20V
- 功率耗散：最大 1.9W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装形式：PowerPAK® SO-8，表面贴装型
性能优势
SI7439DP-T1-GE3 MOSFET 的设计使其在高功率应用中表现出色。首先，其高达 150V 的漏源电压使其能够在多个高电压电源系统中稳定工作。其次，3A 的持续漏极电流和 90 毫欧的导通电阻是其重要性能指标，有助于提高整体系统的能效，降低功耗。
其阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 4V，意味着 MOSFET 在较低的栅驱动电压下即能启动，非常适合使用低电平信号进行开关控制的场合。同时，最大栅极电压为 ±20V，增强了其在多种驱动条件下的灵活性和稳定性。
应用领域
由于其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，SI7439DP-T1-GE3 可应用于：
- 开关电源：在 DC-DC 转换器和稳压电源中作为开关元件，能够有效地控制能量的传输。
- 电机驱动：在电机控制领域，扮演开关元件角色，有助于实现有效的电力调节和节能操作。
- 电池管理系统：用作电池组的开关控制，可以实现精确的能量管理，延长电池寿命。
- 汽车应用：在新能源汽车及其相关电子设备中，作为高电压开关，满足电动驱动和能量回收系统的需求。
- 消费电子产品：在电视、电脑和其他家用电器中作为开关电源的核心元件，保证设备高效运行。
安装与兼容性
SI7439DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，适合表面贴装（SMD）技术，便于自动化生产。其小巧的封装设计不仅节省了PCB空间，而且与多种现有电路设计兼容性良好，便于工程师在现有设计中集成。
结论
综合上述特性，SI7439DP-T1-GE3 是一款在多种高电压、高电流应用中表现优异的 P 通道 MOSFET，其可靠性和效率可为现代电子设计提供强有力的支持。无论是在电源管理、电机控制还是消费电子产品中，VISHAY 的这一解决方案都能够有效满足广泛的设计需求，是设计师和工程师可靠的选择。