BCW61D,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BCW61D,215

商品编码: BM0177344785
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
三极管(BJT) 250mW 32V 100mA PNP SOT-23
库存 :
3485(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.341
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.341
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.192
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCW61D,215参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)32V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)550mV @ 1.25mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)20nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)380 @ 2mA,5V
功率 - 最大值250mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装TO-236AB

BCW61D,215手册

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BCW61D,215概述

产品概述:BCW61D,215

概述 BCW61D,215 是一款高性能的PNP型双极结晶体管(BJT),其设计专用于满足各类电子设备中的开关和放大应用需求。这款晶体管由知名供应商 Nexperia(安世)生产,具有优良的电气性能和可靠的工作特性,是现代电子设计的理想选择。

主要特性

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流(Ic):100mA
  • 最大集射极击穿电压(Vce):32V
  • 饱和压降(Vce(sat)):在1.25mA和50mA下,最大饱和压降仅为550mV。这一特性使得晶体管在驱动负载时效率较高,减少功耗。
  • 集电极截止电流(ICBO):在高达20nA的电流截止值下,确保了其在待机状态下的低漏电特性,增强了电路的整体可靠性。
  • DC电流增益 (hFE):在2mA、5V供电条件下,hFE的最小值为380。这一特性确保了在小信号应用中能够实现优良的信号放大性能。
  • 最大功率处理能力:250mW,允许该晶体管在一定的功率范围内稳定工作。
  • 频率响应:此晶体管支持高达100MHz的操作频率,适用于高速信号处理应用。
  • 工作环境:最大工作温度可达150°C,适应各种苛刻环境下的应用需求。
  • 封装类型:表面贴装型 (SMD),采用TO-236AB封装,尺寸小巧,方便集成到电路板中。

应用场景 BCW61D,215主要应用于各种电子设备及其相关电路,包括但不限于:

  • 开关电路:适合用于各种信号的快速开关控制,如继电器驱动和直流电机控制。
  • 放大电路:其极高的电流增益使得BCW61D,215非常适合用于音频放大和其他小信号放大器应用。
  • 低功耗设备:凭借其低截止电流和小饱和压降,该晶体管特别适合低功耗的便携式设备。
  • 计算机和通信设备:在高速信号处理的场合,BCW61D,215能够提供所需的速度和效率,广泛应用于电视、音响等消费电子产品。

性能优势

  • 高增益:BCW61D,215的高电流增益使其在许多放大电路中成为理想选择,为设计师提供了更多的灵活性,能够在低输入信号下实现高输出。
  • 低功耗:相较于同类产品,该晶体管的低Vce(sat)和低ICBO特性使得其在多种应用中能够有效降低功耗。
  • 紧凑封装:采用SOT-23封装意味着该器件不仅占用空间小,还方便与其他组件一起集成,适合高密度电路设计。

总结 BCW61D,215是一款性能优越的PNP型三极管,凭借其出色的电气特性和可靠性,为广泛的电子应用提供了解决方案。无论是在工业控制、消费电子还是通信设备中,BCW61D,215都展示出其卓越的性能表现,成为了电子设计中的重要组成部分。Nexperia的高品质保证和完善的技术支持,使得BCW61D,215成为设计师和工程师的首选元件,助力创新与应用的实现。