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STW40N90K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
6.77g
描述 :
场效应管(MOSFET) 446W 900V 40A 1个N沟道 TO-247
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
50.01按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥50.01
--
10+
￥44.66
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW40N90K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 89nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3260pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 446W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW40N90K5手册
无数据
STW40N90K5概述
STW40N90K5 产品概述
基本介绍
STW40N90K5是一款高性能的N通道MOSFET，专为高压应用而设计。该器件具有优越的电气特性和热特性，广泛应用于电源开关、逆变器、DC-DC转换器以及其它需要高效率和高可靠性的电子电路中。作为意法半导体（STMicroelectronics）的一款重要产品，这款MOSFET在功率电路中展示了卓越的性能和应用灵活性。
关键技术参数
- 漏源电压 (Vdss): 900V
- 连续漏极电流 (Id): 40A（在Tc条件下）
- 导通电阻 (Rds On): 最大值为99毫欧（@20A，10V）
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值5V（@100µA）
- 栅极电压 (Vgs): 最大值±30V
- 输入电容 (Ciss): 最大3260pF（@100V）
- 功率耗散 (Pd): 最大446W（在Tc条件下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
此产品采用TO-247封装，适合高功率应用并提供良好的散热特性，以确保器件在高温环境下的稳定性和可靠性。
性能特性
STW40N90K5 MOSFET以其高压、高电流和低导通电阻的特点，使其在工作中表现出极高的效率。最大漏源电压900V和连续漏极电流40A的设计，使其能够应对各种工业电源和高功率设备所需的苛刻条件。
此外，该器件的导通电阻低至99毫欧，这意味着在导通状态下，流过 MOSFET 的电流带来的损耗极小，从而提高整体电路的能效。结合高功率耗散能力（最大446W），STW40N90K5可以在高负载情况下稳定运行，而不会因过热而出现失效。
应用场景
STW40N90K5 MOSFET非常适合于以下应用场景：
- 电源开关: 用于开关电源中的主开关，具备高效率和可靠性。
- 逆变器: 在光伏逆变器和风能逆变器中应用，以确保能量高效转换。
- DC-DC转换器: 在各种DC-DC转换器中起到关键作用，以提高电能转换效率。
- 电动机驱动: 可用于电动机控制中的高频开关应用，提升驱动性能。
封装和安装
STW40N90K5采用TO-247封装，适合通孔安装，允许更好的散热性能。该封装可以轻松集成到各种PCB设计中，确保极低的接触热阻，从而实现高效的热管理。这对于保证元器件在高功率应用中的稳定性和寿命至关重要。
结论
STW40N90K5作为一款高性能的N通道MOSFET，以900V的高漏源电压、40A的高电流承载能力、超低导通电阻以及宽广的工作温度范围，适合于各类工业和消费级电子设备中的高功率应用。随着对能效和系统可靠性的日益关注，这款MOSFET凭借其出色的电气特性和热特性，成为了许多设计工程师优选的元器件之一。