功率(Pd) | 250mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.4pF@16V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3Ω@1.8V,0.15A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 49pF@16V | 连续漏极电流(Id) | 500mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA |
DMP2900UT-7 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,专为各种低压电源管理和开关应用而设计。该元器件由知名半导体制造商 DIODES(美台)出品,具有出色的电气性能和高度的可靠性。DMP2900UT-7 的主要参数包括额定功率 250mW、最大漏源电压 20V 和最大连续漏极电流 500mA,适合用于低电压、高效率的电源解决方案。
高效开关性能:DMP2900UT-7 采用增强型架构,具有有效降低导通电阻(RDS(on))的特性,使其在开关应用中表现出色。低 RDS(on) 能显著减少功率损耗,从而提高电能使用效率。
强大的负载能力:这款 MOSFET 支持最大 500mA 的持续漏极电流,足以满足多种应用场景的需求,尤其适合用于小型电机驱动和负载开关控制。
宽电压运行范围:其最大漏源电压为 20V,允许该元器件在多种低压工业和消费类设备中安全操作,且适合与其他电子元器件共同使用。
小型封装:DMP2900UT-7 采用 SOT-523 封装,有效节省电路板空间。在现代电子产品日益趋向于小型化与集成化的趋势下,这种小尺寸设计无疑使其在便携式和手持设备中具有显著的竞争优势。
良好的热性能:该器件在设计时考虑了热管理,具备良好的散热特性,确保在最大工作温度下提供可靠的性能。其适用温度范围从 -55°C 到 +150°C,可以在严苛环境下稳定运行。
DMP2900UT-7 非常适合用于多种实际应用场景,包括但不限于:
电源开关:在电源管理电路中,DMP2900UT-7 可以用作高效的开关元件,以控制电源的通断,延长电池寿命并提高电能的使用效率。
负载控制开关:由于其高负载能力,DMP2900UT-7 可用于驱动小型电机、灯光和其他负载的开关控制,能够满足家电、电动玩具和工业设备的需求。
线性调节器:与其他元器件组合时,DMP2900UT-7 可用于线性调节器和稳压电源设计,以保证负载端的电压稳定性。
快速开关应用:该器件的快速切换特性,使其在需要高频开关操作的场景中表现突出,例如 PWM 调制应用中。
DMP2900UT-7 作为 DIODES 推出的一款高效 P 沟道 MOSFET,其出色的电气表现和小型的 SOT-523 封装设计,使其成为现代电子电路中不可或缺的重要元器件。凭借其多功能性和高可靠性,DMP2900UT-7 在汽车电子、工业自动化和便携设备等众多应用中展现了强大的市场潜力。选择 DMP2900UT-7,您将拥有一款值得信赖的 MOSFET 解决方案,为您的项目提供优异的性能和持久的稳定性。