功率(Pd) | 300mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | NPN |
特征频率(fT) | 100MHz | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5.0V |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA,1.0mA |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极电流(Ic) | 600mA |
MMBT5551Q-7是一款高性能的NPN型三极管,广泛应用于各种电子电路设计。它在数据手册中标定的基本参数使其成为适合低功率放大和开关应用的理想选择,也适用于电源管理、信号处理和线性放大等多种场合。作为DIODES(美台)公司生产的一款三极管,MMBT5551Q-7具有卓越的电气性能和优良的可靠性。
MMBT5551Q-7的基本参数包括:
MMBT5551Q-7在许多领域都有其独特的应用。以下是一些典型的应用场景:
开关电源:由于其高电压和电流能力,MMBT5551Q-7非常适合用作开关电源中的开关元件,能够有效控制电流的开关状态,提供所需的输出电压。
线性放大:其低噪声特性使其适合用于音频放大器和信号放大应用,能够高效地放大微弱的音频信号。
驱动电路:在各种驱动电路中,特别是小型电动机驱动和继电器驱动场合,MMBT5551Q-7能够提供可靠的开关控制,确保设备的高效运行。
传感器应用:在一些传感器电路中,MMBT5551Q-7可用来放大传感器信号,实现数据的精确读取和处理。
在使用MMBT5551Q-7时,了解其电气特性是非常重要的。该三极管的静态工作点(Q点)需根据所要实现的应用精确设置,这通常涉及基极电流(IB)、集电极电流(IC)和发射极电流(IE)的关系。其直流增益(hFE)范围一般在100到300之间,使其在不同电流条件下仍能有效工作。
由于功率耗散为300mW,设计电路时必须考虑散热问题。SOT-23封装小巧,便于在紧凑的电路板上使用,但在高功率应用中,可能需要增加散热措施,如使用散热片或其他散热技术,以提高三极管的工作稳定性和寿命。
DIODES(美台)作为行业内知名的电子元件制造商,其产品在市场上享有良好的声誉。MMBT5551Q-7经过严格的质量控制,耐高压、耐冲击,确保了组件在各种复杂的电子环境中稳定可靠的工作。
综上所述,MMBT5551Q-7是一款功能多样、性能稳定的NPN三极管,具备广泛的应用潜力,适合各种电子设备中的开关及放大应用。无论是在工业控制、音频设备还是其他电子产品中,这款三极管都能提供所需的性能表现。其高电压和电流能力,以及小型化的SOT-23封装,使其成为设计师们实现创新的高效解决方案之一。在未来的电子应用中,MMBT5551Q-7将继续发挥其价值,助力各种电子产品的稳定和高效运行。