BZT52C3V9-13-F 产品实物图片
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BZT52C3V9-13-F

商品编码: BM0177322163
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOD123
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
稳压二极管 独立式 3.9V 370mW SOD-123
库存 :
9770(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.52
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.52
--
500+
¥0.173
--
5000+
¥0.115
--
10000+
¥0.0825
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

BZT52C3V9-13-F参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3.9V容差±5.13%
功率 - 最大值370mW阻抗(最大值)(Zzt)90 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏3µA @ 1V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-123供应商器件封装SOD-123

BZT52C3V9-13-F手册

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BZT52C3V9-13-F概述

产品概述:BZT52C3V9-13-F 稳压二极管

一、基本信息

BZT52C3V9-13-F是由DIODES(美台半导体)生产的一款稳压二极管,具有3.9V的齐纳电压。其典型的应用场景是为电子设备提供稳定的电压保护,避免因电压波动导致的组件损坏。该产品采用表面贴装型(SMD)封装,封装型号为SOD-123,使得它在现代电子设备中的使用越来越广泛,尤其适合空间有限的电路板设计。

二、技术规格

  1. 齐纳电压 (Vz): 3.9V

    • 该电压值是器件在特定条件下的稳定反向电压,能有效保护下游电路免受电压过高的影响。
  2. 容差: ±5.13%

    • 容差表明器件实际齐纳电压可能在3.7V到4.1V范围内,这为实际应用提供了一定的灵活性,确保在不同工作环境下依然能够稳定工作。
  3. 功率 (P): 最大370mW

    • 此参数定义了在规定的环境条件下稳压二极管能承受的最大功耗。370mW的功率能力意味着它适合多个应用场合,尤其是需要电压保护而功耗较低的电路。
  4. 阻抗 (Zzt): 最大90 Ohms

    • 该数值反映了稳压二极管在反向偏置电压时的内阻,较低的输出阻抗有助于在负载波动时维持稳定的齐纳电压。
  5. 反向泄漏电流 (3µA @ 1V):

    • 表明在1V反向电压下的电流,较小的反向泄漏电流意味着器件在待机状态下的效率较高,适合高灵敏度的电路设计。
  6. 正向电压 (Vf): 900mV @ 10mA

    • 正向电压在特定正向电流下测得,重要的是保证在实际电路中进入稳压二极管工作区域时的电流选择。
  7. 工作温度范围: -65°C ~ 150°C

    • 该温度范围适应了各种苛刻的工作环境,使得BZT52C3V9-13-F适用于汽车、工业和通信等多个领域。

三、封装和安装

BZT52C3V9-13-F采用SOD-123封装,具有小型化和轻量化的优点。表面贴装型的设计使得该二极管能够方便地集成到高密度电路板中,满足现代电子设备小型化与高性能的需求。

四、应用领域

BZT52C3V9-13-F通常用于:

  • 电源保护: 作为电路中的保护元件,在可能出现的电压过高情况下快速反应,有效保护下游元件。
  • 电源稳压: 在各种电源模块中保持输出电压的稳定性,确保电子设备按预期工作。
  • 信号调理: 在放大电路中对信号电压进行稳定,从而提升信号的整体质量。

五、总结

BZT52C3V9-13-F是一款高效、稳定、适用于多种应用的稳压二极管,凭借其优异的技术规格与广泛的应用潜力,您可以期望在功率管理、信号稳压及保护电路等方面实现出色的性能。DIODES(美台)的品牌信誉及多年的市场经验使得此产品在设计师和工程师心目中具有高度的信任度,为各类电子产品的设计与生产提供了强有力的支持。