电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V | 容差 | ±5.13% |
功率 - 最大值 | 370mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 3µA @ 1V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOD-123 | 供应商器件封装 | SOD-123 |
BZT52C3V9-13-F是由DIODES(美台半导体)生产的一款稳压二极管,具有3.9V的齐纳电压。其典型的应用场景是为电子设备提供稳定的电压保护,避免因电压波动导致的组件损坏。该产品采用表面贴装型(SMD)封装,封装型号为SOD-123,使得它在现代电子设备中的使用越来越广泛,尤其适合空间有限的电路板设计。
齐纳电压 (Vz): 3.9V
容差: ±5.13%
功率 (P): 最大370mW
阻抗 (Zzt): 最大90 Ohms
反向泄漏电流 (3µA @ 1V):
正向电压 (Vf): 900mV @ 10mA
工作温度范围: -65°C ~ 150°C
BZT52C3V9-13-F采用SOD-123封装,具有小型化和轻量化的优点。表面贴装型的设计使得该二极管能够方便地集成到高密度电路板中,满足现代电子设备小型化与高性能的需求。
BZT52C3V9-13-F通常用于:
BZT52C3V9-13-F是一款高效、稳定、适用于多种应用的稳压二极管,凭借其优异的技术规格与广泛的应用潜力,您可以期望在功率管理、信号稳压及保护电路等方面实现出色的性能。DIODES(美台)的品牌信誉及多年的市场经验使得此产品在设计师和工程师心目中具有高度的信任度,为各类电子产品的设计与生产提供了强有力的支持。