晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
产品概述:BC858CW-7-F
1. 概述
BC858CW-7-F是一款高性能的PNP型双极型晶体管(BJT),以其优越的电气特性和可靠的工作性能广泛应用于低功耗放大和开关电路。此器件由DIODES(美台)公司制造,属于SOT-323封装,适用于表面贴装技术(SMT),使其在现代电子设备中得到了广泛的应用。
2. 基本特性
电流与电压规格:BC858CW-7-F的工作集电极电流(Ic)最大值为100mA,适用于高电流应用。在集射极击穿电压(Vce 额定值)方面,其最大值为30V,确保该器件能够在多种电压条件下稳定工作。
饱和压降:该晶体管在特定条件下的饱和压降表现良好,尤其在5mA和100mA的工作条件下,其Vce饱和压降最大值为650mV,这在低功耗应用中是一项重要的性能指标,能够帮助减少功耗和热生成。
直流电流增益(hFE):在2mA的静态集电极电流下,BC858CW-7-F能够提供最低420的直流电流增益(hFE),这表明在相对较低的输入电流下,能够实现较大的输出电流,是一种高增益器件,适合用于信号放大器中。
截止电流:其集电极截止电流(ICBO)最大值仅为15nA,表明该晶体管在完全关闭状态下有非常低的泄漏电流,增加了器件的效率和可靠性。
3. 高频特性
BC858CW-7-F的频率跃迁特性非常优秀,其频率特性达到了200MHz,使其能够满足高速信号处理的需求。这一特性使得该器件广泛应用于高频放大器和射频电路中。
4. 温度特性
此款晶体管具备宽广的工作温度范围。从-65°C到150°C的工作温度允许BC858CW-7-F在极端环境下稳定工作,适合航空航天、汽车电子、工业控制等多种严苛环境的应用场景。
5. 封装与安装
BC858CW-7-F采用SOT-323封装,这种表面贴装型封装具有小型化和高集成度的特点,使得其可以很方便地集成到现代电子设备中。其体积小,重量轻,非常适合于便携式应用。
6. 应用领域
BC858CW-7-F的应用场景非常广泛,包括但不限于:
低功耗放大器:由于其高电流增益和低饱和压降的特性,适用于音频及RF信号的放大。
开关电路:可作为开关元件应用于电源管理与控制电路,具备快速通断能力。
线性稳压器:适用于构建基于PNP晶体管的线性稳压电源,能够有效控制输出电压。
仪器仪表:在测量和测试设备中,BC858CW-7-F由于其精确的电流增益和低噪音特性,是很理想的选择。
7. 结论
BC858CW-7-F是一款性能卓越的PNP型晶体管,其在小型化、高增益、低功耗及广温度范围等多方面的特点使其成为电子设计中不可或缺的元器件。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子等应用中,BC858CW-7-F都能提供高效、可靠的解决方案。对工程师和产品设计者而言,BC858CW-7-F是一个极具竞争力的选择,能够满足现代电子产品对性能和可靠性的高要求。