DDTA114TUA-7-F
DDTA114TUA-7-F参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 100µA，1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 基本产品编号 | DDTA114 |
DDTA114TUA-7-F手册
DDTA114TUA-7-F概述
产品概述：DDTA114TUA-7-F
引言
DDTA114TUA-7-F 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高效表面贴装型 PNP 晶体管。该器件专为低功耗数字电路设计，具有优越的电流增益，能有效地满足各种应用需求，如开关电路、信号放大和电源管理。由于其紧凑的 SOT-323 封装，DDTA114 可以轻松集成到高密度电路中。
基本参数
- 制造商：Diodes Incorporated
- 零件状态：有源
- 包装形式/封装：卷带（TR）; SOT-323
- 安装类型：表面贴装型
电子特性
电流增益 (hFE)：该器件在 5V 的电压下，1mA 的集电极电流下，具有最小 DC 电流增益为 100。这一特性确保了晶体管能提供足够的增益，使其在信号放大时表现出色。
饱和压降：在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下，Vce 的饱和压降最大为 300mV，尤其在 100µA 和 1mA 下。这意味着在饱和状态下，器件能保持较低的电压降，减少功耗和热量产生。
集电极截止电流 (ICBO)：最大值为 500nA，确保在关闭状态下对电路的影响微乎其微，从而保持电路的稳定性和可靠性。
最大集电极电流 (Ic)：该元件支持最大 100mA 的集电极电流，适合多种低功率应用。
电压 - 集射极击穿：最大击穿电压为 50V，使得该器件在较高电压环境下依然能够稳定工作。
频率 - 跃迁：具有高达 250MHz 的频率响应，满足高频切换应用的需求。
功率额定值：最大功率能力为 200mW，使得在限制条件下进行可靠的功率转换成为可能。
基极电阻 (R1)：内置 10 kOhms 的基极电阻，有助于实现预偏置操作，简化电路设计。
应用场景
DDTA114TUA-7-F 的强大特性使得它在众多应用中表现出众，包括：
- 开关电路：适合用于各种数字开关控制，能够更高效地实现电路的解析与控制。
- 信号放大：作为小信号放大器，能够在音频和视频信号处理应用中发挥重要作用。
- 电源管理：在电源线路和电源管理电路中，DDTA114 的低功耗特性及高增益表现显著提升电源效率。
- 逻辑电路：可用于不同逻辑电路的实现与辅助，适用于现代数字电路设计。
封装与存储
DDTA114TUA-7-F 采用 SOT-323 封装，尺寸小巧，非常适合高密度 PCB 设计。其卷带包装形式也方便了自动化贴装，从而提高了生产效率并降低了成本。同时，该器件的长效可靠性使其在长时间的运行中也能保持性能稳定。
总结
作为一款高性能的 PNP 数字晶体管，DDTA114TUA-7-F 凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装，适用于广泛的电子应用，为设计人员提供了可靠的解决方案。其优良的电流增益、低饱和压降和高频响应，使其在各种数字电路设计中成为一个优秀的选择。无论是在用户自定义设计——还是在大量生产的电子设备中，DDTA114 都能够为您的项目提供卓越的性能支持。