DMP2900UW-7
DMP2900UW-7参数
| 功率(Pd) | 300mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.4pF@16V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@4.5V,0.6A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 49pF@16V | 连续漏极电流(Id) | 600mA |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA |
DMP2900UW-7手册
DMP2900UW-7概述
DMP2900UW-7 产品概述
产品简介
DMP2900UW-7 是一种高性能的 P 型场效应晶体管（MOSFET），其最大功耗为 300 mW，额定电压为 20V，最大电流为 600mA，采用 SOT-323 封装。此元器件由 DIODES（美台半导体公司）生产，凭借其优秀的特性，广泛应用于各种电子设备中，特别是在低功耗应用场合具有显著优势。
设计特性
高效能：DMP2900UW-7 的结构设计使其在较低的门电压下仍能提供卓越的导通能力，减少功耗同时提高效率。该器件在开关频率较高的应用中表现优异，尤其适合需要快速开关的电路设计。
小封装：采用 SOT-323 封装，DMP2900UW-7 的小尺寸使其非常适合空间受限的应用场景。其紧凑而稳固的封装有助于实现更高的电路集成度，非常适合于便携式、消费类电子产品及其他小型电子设备。
稳健的电气特性：该器件的 V_DS（源极到漏极电压）额定为 20V，以及高达 600mA 的连续漏极电流，使其能够应对多种负载条件。无论是在开关电源、负载驱动还是信号切换中，DMP2900UW-7 都能提供可靠的工作性能。
超低导通电阻：优越的导通性能源于其低 R_DS(on) 值，意味着在导通时器件内阻小，从而减少能量损耗，提高电路整体效率。这一特性特别适合于需要大电流的应用中，帮助降低热量的产生，提升系统的稳定性。
应用领域
开关电源：DMP2900UW-7 常用于开关电源中，起到高效开关的作用，能够在不同工作状态下保持优异的电压和电流特性，提升整机的能效体验。
电池管理系统：在电池供电系统中，DMP2900UW-7 可以用作电池电量监控、充电电路以及负载控制，确保设备在不同状态下的安全性与稳定性。
LED 驱动：该器件也可广泛应用于 LED 照明模块的驱动中，通过高效的电流控制实现亮度调节，延长 LED 产品的使用寿命。
信号开关：在多种电子设备中的信号处理应用，如音频设备、通信模块等场合，DMP2900UW-7 能够有效控制信号的开关，确保信号传输的可靠性。
性能优势
可靠性：DMP2900UW-7 的封装设计旨在提供良好的热管理能力，降低工作中的温升，提升元器件的使用寿命和可靠性。
兼容性：此MOSFET 设计符合多种电路设计要求，能够与其他电子元器件如电阻、电容等兼容工作，为设计师提供了更大的灵活性。
性价比：作为 DIODES 品牌的一员，DMP2900UW-7 提供了优质的性能与合理的价格，相比同类产品，能够有效降低系统成本，提高整体的性价比。
总结
DMP2900UW-7 MOSFET 是一款集成度高、效率优异且小型化的电子元器件，适用于各种低功耗及小型电子设备。凭借其可靠的性能和灵活的应用场景，它是现代电子设计中不可或缺的组成部分。针对不同的应用需求，DMP2900UW-7 能够提供卓越的开关性能和可靠性，助力设计师实现高性能和高效能的产品。