DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7 产品概述

产品简介

DMN33D8LDW-7 是一款高性能的 N-沟道场效应管（MOSFET），由知名半导体公司 DIODES（美台）制造。该器件具有双通道设计，适用于各种中低功率应用，其可靠的性能和稳定的电气特性使其成为现代电子电路中不可或缺的组件。本产品采用 SOT-363 封装，适合在空间有限的设备中使用。

技术参数

• FET 类型：双 N-通道。
• 漏源电压（Vds）：最大值为 30V，表明该器件能够处理高达 30V 的漏源电压，使其适合多种高压电源电路。
• 电流 - 连续漏极（Id）：额定 250mA，能够满足大多数低功耗应用的要求。
• 导通电阻（Rds(on)）：在 250mA 和 Vgs ＝ 10V 时，最大导通电阻为 2.4Ω，这意味着在正常工作状态下，该器件的电流损耗极低，从而提高了系统的整体效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 1.5V（@ 100µA），这保证了在较低的栅源电压下，器件能够快速开启并稳定工作，适合快速开关应用。
• 栅极电荷（Qg）：最大值为 1.23nC（@ 10V），高效的栅极驱动特性有助于降低开关损耗，提高电路的驱动效率。
• 输入电容（Ciss）：最大值为 48pF（@ 5V），确保了更快的开关速度和较低的输入延迟，对于提升系统的整体响应时间至关重要。
• 功率 - 最大值：350mW，提供了强大的热管理能力，能够应对各种环境变化。
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C（TJ），适用于多种严酷的工作环境，包括汽车、工业控制和高可靠性领域。

应用场景

DMN33D8LDW-7 因其优越的电气性能和工作温度范围，广泛应用于以下领域：

• 电源管理：用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源模块，能够高效地控制输出电流和电压。
• 汽车电子：作为开关器件，用于电动门锁、车灯控制及电池管理系统。
• 工业应用：适合用于各种工业自动化设备的驱动电路，例如传动控制、门控制等场合。
• 消费电子：在智能手机、平板电脑及其他便携设备中用作开关，提供高效率和长续航力。
• 信号开关：在音频和视频设备中用作信号切换，也可用于通讯设备中的信号放大与衰减任务。

封装与安装

DMN33D8LDW-7 采用 SOT-363 封装，提供小巧灵活的解决方案，适合表面贴装技术（SMD）。该封装在保证良好散热特性的同时，能够轻松适应现代PCB设计的要求，适合各种制造和组装流程。

总结

DMN33D8LDW-7 是一款具备卓越性能、优质设计和多种应用场景的 N-通道 MOSFET。凭借其适中的开关性能、高效的电气参数和广泛的温度适应性，该器件无疑是开发现代电子产品的理想选择。在不断发展的电子产品需求中，DMN33D8LDW-7 将为设计师提供更大的灵活性和可靠性。无论是在电源管理、汽车应用，还是在工业和消费电子领域，这款 MOSFET 都将为客户提供强有力的技术支持和价值承诺。