DDC114EH-7
DDC114EH-7参数
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
DDC114EH-7手册
DDC114EH-7概述
DDC114EH-7 产品概述
概述
DDC114EH-7 是一款由 DIODES（美台）公司推出的双 NPN 预偏置数字晶体管，具有高效能和优越的电气特性。该器件采用 SOT-563 封装，适合于表面贴装应用，能够有效满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。其设计特别适用于信号放大、开关电路以及其他数字电路的集成，广泛应用于消费类电子、通讯和工业控制系统。
主要特性
双 NPN 结构：DDC114EH-7 内含两个 NPN 晶体管，便于在电路设计中实现多种功能，如逻辑电平转换、信号放大和开关操作，简化电路设计并节省空间。
电流与电压性能：本产品的最大集电极电流（Ic）可达 100mA，而电压 - 集射极击穿（Vce）最大值可达到 50V，确保其在多个应用场景中的可靠性和稳定性。
直流电流增益 (hFE)：在特定条件下（5mA，5V），该器件的 DC 电流增益（hFE）最小值达到 30，确保在低电流条件下仍可提供足够的增益。
低饱和压降：在 500µA 至 10mA 的范围内，Vce 饱和压降的最大值仅为 300mV，这意味着在实现开关操作时，功耗较低，效率较高。
功率处理能力：该晶体管的最大功率限制为 150mW，允许其在更高功率水平下进行可靠工作，适合用于各种小型功率放大和开关应用。
高频响应：具备高达 250MHz 的跃迁频率，使其适合用于高频率信号处理和高数据速率的应用环境，能够有效支持现代通信技术。
超低集电极电流截止：最大集电极截止电流仅为 500nA，允许在电源关闭或待机模式下极低的能耗，符合节能设计的需求。
应用场景
DDC114EH-7 的应用领域广泛，包括但不限于：
- 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号处理和开关电路。
- 通讯设备：路由器、交换机及其他网络设备中的数据传输信号增强与保护。
- 工业控制系统：在自动化设备和传感器中，作为开关元件和信号调节器。
- 汽车电子：在车载电子系统中，用于信号放大和开关控制。
封装与安装
DDC114EH-7 采用 SOT-563 表面贴装封装，尺寸小巧，便于在有限空间内安装。其优秀的热管理特性和电气连接设计能够提高线板的整体可靠性，降低产品的失败率。
结论
总的来说，DDC114EH-7 是一款高性能、便于集成的双 NPN 预偏置数字晶体管，适合各类低功耗、高频率应用的需求。其优异的电气特性和设计使其成为现代电子设备的理想选择，能够有效提升产品的整体性能，符合当今电子行业对高集成度和高效率的要求。