DMN61D9UDW-13

DMN61D9UDW-13 产品概述

概述

DMN61D9UDW-13 是一款由 DIODES（美台）制造的高性能 N-通道 MOSFET 阵列，具备60V的漏源电压和350mA的连续漏极电流。它采用表面贴装封装（SOT-363），广泛应用于低压和中压电源开关、负载驱动和信号开关等电路设计中。其卓越的导通性能和高温工作能力使其在各种应用中成为理想选择。

主要特点

1. 高导通能力：该元件在5V和50mA的条件下，导通电阻最大值为2欧姆，确保在工作时表现出最低的功耗和发热量。

2. 宽电压范围：支持高达60V的漏源电压，使其能够满足多种工业应用的需求。

3. 紧凑封装设计：SOT-363 封装具有极小的占用空间，适合空间受限的高密度电路板设计。

4. 高温性能：该组件具备-55°C到150°C的工作温度范围，适应不同环境中的应用，如汽车电子、硬件通信等。

5. 低栅极电荷：在4.5V条件下，栅极电荷（Qg）的最大值为0.4nC，意味着在高频开关应用中可以实现更快的开关速度，降低开关损耗。

6. 优良的输入电容特性：在30V的条件下，输入电容（Ciss）最大值为28.5pF，有助于提高开关频率，减少信号延迟。

应用领域

DMN61D9UDW-13 适用于多个领域，包括但不限于：

• 电源管理：作为开关元件用于 DC/DC 转换器、线性稳压器等电源管理应用中。
• 自动化和控制系统：可用于开关控制、马达驱动、继电器驱动等。
• 消费电子：广泛应用于智能家居设备、便携式电子设备等。

市场需求和竞争优势

随着电子产品向更高效率和小型化发展，对高性能 MOSFET 的需求日益增加。DMN61D9UDW-13 凭借其优秀的电气特性、可靠性和广泛的工作范围，在市场中占据了有利地位。此外，DIODES 的品牌信誉及其优良的质量控制进一步增强了该产品的竞争力。

结论

DMN61D9UDW-13 是一款功能强大的 N-通道 MOSFET，具备广泛的应用潜力和出色的性能参数，适合各类电子设计需求。无论是在工业自动化、便携式电子产品还是汽车电子领域，DMN61D9UDW-13 都是值得信赖的选择。其出色的高温性能、低功耗和高开关频率特性使其在现代电气工程中发挥着重要的作用。选择 DMN61D9UDW-13，将为您的设计提供出色的性能和可靠性。