DMN3065LW-13
DMN3065LW-13参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 770mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.7nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 465pF @ 15V |
| 基本产品编号 | DMN3065 |
DMN3065LW-13手册
DMN3065LW-13概述
DMN3065LW-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道MOSFET，专为各种低功耗电子设备的开关和放大应用设计。这款器件采纳了小型化的SOT-323封装，适合表面贴装技术（SMT），能有效节省电路板空间，是现代电子产品中常见的选择。
关键参数
额定电流和功率消耗： DMN3065LW-13在25°C的环境下，连续漏电流（Id）为4A，最高功率耗散可达到770mW。这意味着该MOSFET适应较高的工作负载，适合用于需要较大电流的场合，比如电源管理、负载开关和驱动电路等。
工作电压范围： 该器件的漏源电压（Vdss）为30V，支持广泛的应用范围，可用于低至几伏特的电路至最高30V的高压电路，这使得其在家电、通信和工业设备等多个领域具有应用灵活性。
开关特性： 在控制电路中，DMN3065LW-13的输入栅极电压（Vgs）最大可承受±12V，并且在10V下，导通电阻（Rds(on)）的最大值为52毫欧（@4A）。低导通电阻意味着在工作时功耗低，有助于提高设备的整体效率和可靠性。
阈值电压： 该MOSFET的阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.5V（@250µA），这是一个相对较低的开关电压，有助于实现低电平逻辑驱动，降低系统功耗，在电源管理和信号处理电路中具有明显优势。
电气特性：
- 栅极电荷 (Qg)：在10V的栅极驱动下，最大栅极电荷为11.7nC，这个特性适合快速开关的应用，减少了开关损耗。
- 输入电容 (Ciss)：在15V下，最大输入电容为465pF，较低的电容值有助于提高工作频率，适合高频开关应用。
工作温度范围： DMN3065LW-13的工作温度范围从-55°C到150°C，适应不同环境条件，可以在极端温度下稳定工作，适合航空航天、汽车和工业应用，提升了产品的适用性和可靠性。
应用场景
DMN3065LW-13的特性使其在多个领域得到了广泛应用：
- 电源管理：在电源转换和管理电路中，可用于开关控制和负载切换，帮助提升系统功率效率。
- 电机驱动：适用于直流电机和步进电机的驱动，由于其高电流和低导通电阻，能够确保电机启动和运行时的稳定性。
- 通信设备：在无线通信和传输设备中，可用于高频开关，增强信号处理能力。
- 汽车电子：在车载电源管理和控制系统中，DMN3065LW-13可以用于灯光、传感器和其他电气设备的直接控制。
结论
DMN3065LW-13通过其出色的电气性能、紧凑的封装和广泛的工作环境适应性，成为设计工程师在选择N沟道MOSFET时的一款理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，都可以根据其特性，发挥出色的性能，帮助构建高效率、低功耗的电路系统。选择DMN3065LW-13，意味着为您的设计引入了一款可靠且高效的电子元器件。