DMP2110UVT-13

DMP2110UVT-13 产品概述

产品简介

DMP2110UVT-13 是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能 P 沟道场效应管（MOSFET），具有优秀的电气性能和高度的可靠性。该器件主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理及开关电路中，凭借其特殊的设计和优异的特性，使其非常适合在多种电子设备中使用。

关键参数

1. FET 类型与功能：DMP2110UVT-13 是一款双 P 沟道场效应管，能够执行标准的开关和线性驱动功能，适合用于电源开关和用途广泛的负载控制。

2. 电压与电流规格：

   • 漏源电压（Vds）：20V，使该器件在许多低压应用中表现出色。
   • 连续漏极电流（Id）：在25°C时最大可达1.8A，能够满足大多数中等负载电流的需求。

3. 导通电阻与阈值电压：

   • 导通电阻（Rds(on)）：最大值为150毫欧（当Id为2.8A，Vgs为4.5V时），这意味着在低电流和较高频率的应用中，DMP2110UVT-13可以提供较低的功耗和热量积累。
   • 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为1V（@250µA），表明其能够在相对较低的电压下开通，提升了控制的灵活性。

4. 电荷与输入电容：

   • 栅极电荷（Qg）：最大值6nC（当Vgs为4.5V时），这为高速开关应用提供了低驱动功率的优点。
   • 输入电容（Ciss）：最大值443pF（@6V），使其在高频率下表现良好，并减少了信号延迟。

5. 功率与工作温度：

   • 功率最大值：740mW（在环境温度Ta条件下），这一指标确保该器件在工作时的耐热性与稳定性。
   • 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），使得DMP2110UVT-13能够在极端环境下工作，适合各种苛刻应用场合。

封装与安装

DMP2110UVT-13采用TSOT-26封装，其小型化设计适应了现代电子设备对空间的严格要求。表面贴装（SMD）技术使其容易与其他元件集成，降低了PCB板的整体面积。

应用领域

由于DMP2110UVT-13具有优秀的性能参数和灵活的应用特性，它适用于以下领域：

• 电源管理：用于DC-DC转换器、逆变器和开关电源。
• 负载开关：可以直接控制大功率负载。
• 电池供电设备：在移动设备中高效控制电源。
• 汽车电子：在自动控制和高温环境中也能保持稳定的性能。

总结

DMP2110UVT-13 是一款高效能 P 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围及小巧的封装，成为电源管理和开关电路应用中不可或缺的元件。对于设计人员而言，选择 DMP2110UVT-13 将有助于提升产品的性能和可靠性，同时帮助简化电路设计。无论是在消费电子、工业控制，还是汽车电子领域，DMP2110UVT-13 都能展现出其卓越的性能与适用性，使其成为理想的选择。