DMP2110UVT-7
DMP2110UVT-7参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 2.8A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 443pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 740mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 |
DMP2110UVT-7手册
DMP2110UVT-7概述
DMP2110UVT-7 产品概述
一、基本信息
DMP2110UVT-7 是一款高性能的双 P 沟道场效应管（MOSFET），具有优良的电气特性和热特性，适用于多种应用领域。该元器件由美台（DIODES）公司制造，是一款设计用于满足现代电子设备高效能和小型化需求的重要器件。
二、产品参数
- FET 类型：双 P 沟道
- FET 功能：标准
- 漏源电压（Vds）：最大 20V
- 连续漏极电流（Id）：最大 1.8A（在 25°C 环境温度下）
- 导通电阻（Rds(on)）：在不同 Id 和 Vgs 条件下，最大导通电阻为 150 毫欧 @ 2.8A，4.5V
- 阈值电压（Vgs(th)）：在不同 Id 条件下，最大阈值电压为 1V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：在不同 Vgs 条件下，最大栅极电荷为 6nC @ 4.5V
- 输入电容（Ciss）：在不同 Vds 条件下，最大输入电容为 443pF @ 6V
- 功率（P总）：最大功率为 740mW（在 Ta 环境下）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（结合工作环境，确保在极端环境下的可靠性）
- 安装类型：表面贴装型（SMD）
- 封装：TSOT-26，以便于小尺寸电路板的设计
- 供应商器件封装：TSOT-26
三、电气特性
DMP2110UVT-7 MOSFET 设计的漏源电压可达到 20V，允许在各类低压系统中实现高效开关和控制功能。该器件的最大连续漏极电流为 1.8A，这使其适用于多个应用场景，尤其是在需要高电流承载的情况下。
导通电阻低至 150 毫欧，使得该器件在传输电流时损耗显著低于传统元器件，提升了整体系统的效率。此外，阈值电压（Vgs(th)）为 1V，这意味着在较低的驱动电压下，元器件能够良好地工作，进一步降低了功耗和热量生成。
栅极电荷（Qg）为 6nC，显示该 MOSFET 在驱动高频开关时具有优良的动态特性，适合高频开关电源和其他需要快速开关响应的应用。而输入电容（Ciss）为 443pF，在多通道电路及复杂布局中，该特性能够有效降低信号干扰与失真。
四、封装与应用
DMP2110UVT-7 的 TSOT-26 封装使其在各种电子应用中具备卓越的空间利用率，适用于表面贴装（SMD）技术。该设备的可焊性和热管理能力强，适合高密度电路和紧凑型设计。
该 MOSFET 可广泛应用于电源管理、开关电源、LED 驱动、马达驱动、音频功率放大等应用场景。尤其是在便携式电子设备中，其轻巧的封装和高效能表现，使其成为设计师理想的选择。
五、总结
DMP2110UVT-7 以其双 P 沟道的设计、卓越的电气特性及广泛的应用适用性，成为现代电子工程设计中不可或缺的重要元件。无论是在功率管理、开关调节，还是在高频信号处理领域，其性能指标和可靠性均能够满足当今市场对高效能电子元件的需求。选择 DMP2110UVT-7 将有助于实现更高效、可靠的电子设备设计。