DMN2024U-13

DMN2024U-13 产品概述

DMN2024U-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（MOSFET：金属氧化物半导体场效应管），由知名电子元器件制造商 DIODES（美台）生产。该器件专为面向各种低电压和中等电流应用的电路设计而成，具有出色的电气特性和高可靠性，适合在宽广的温度范围内工作。其紧凑的 SOT-23-3 封装使得 DMN2024U-13 在小型化设计和高密度电路板中表现尤为出色。

基本规格

1. FET 类型：N 通道
2. 技术：MOSFET
3. 漏源电压 (Vdss)：20V
4. 连续漏极电流 (Id)：6.8A（在 25°C 的环境温度下）
5. 驱动电压范围：
   • 最小 Rds On：1.8V
   • 最大 Rds On：4.5V
6. 导通电阻 (Rds On)：不同 Id、Vgs 下最大值为 25 毫欧 (@ 6.5A, 4.5V)
7. 阈值电压 (Vgs(th))：最大值 900mV (@ 250µA)
8. 栅极电荷 (Qg)：最大值为7.1nC (@ 4.5V)
9. 栅源电压 (Vgs)：最大值为 ±10V
10. 输入电容 (Ciss)：最大值 647pF (@ 10V)
11. 功率耗散：最大值 800mW
12. 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
13. 封装类型：表面贴装（SMD）
14. 供应商器件封装：SOT-23

应用领域

DMN2024U-13 的广泛应用使其适合多个领域，包括但不限于：

• DC-DC 转换器：该器件能够在较低的导通电阻下承受较高的电流，从而提高转换效率。
• 开关电源：在电源管理电路中，DMN2024U-13 可用作开关，使电源在需要时能快速切换，从而优化功耗。
• 电机驱动：在小型电机驱动电路中，DMN2024U-13 的高效率特性可以降低温升，提高整体系统的可靠性。
• 消费电子设备：由于其小巧的封装，该 MOSFET 可应用于各种消费电子产品，如智能手机、笔记本电脑等，降低电源和信号线的干扰。
• LED 驱动：在 LED 灯具中，该器件可用作开关，确保必要的电流供应。

性能优势

1. 高效能：DMN2024U-13 在较低的驱动电压下提供优秀的导通电阻，意味着在高电流情况下，器件的热损失极少，从而提高整体能效。
2. 广泛的工作温度范围：器件可在 -55°C 至 150°C の温度范围内稳定工作，适合要求严格的工业和汽车应用。
3. 小型封装：SOT-23 封装设计极大地节省了电路板空间，适合高集成度的现代电子设计。
4. 高可靠性：DIODES 公司提供的高质量保障，使得 DMN2024U-13 在撞击、温度变化等极端环境下仍能维持可靠的性能。

结论

综上所述，DMN2024U-13 是一款功能强大且应用广泛的 N 通道 MOSFET，其高效能、宽温度范围和小型化设计使其在各类电子产品中成为理想的选择。无论是在电源管理、开关电路，还是在高频应用中，它均能提供出色的性能，是设计工程师们的优质选择。通过选择 DMN2024U-13，您将能有效提高产品的整体性能和可靠性。