SDM1100LP-7
SDM1100LP-7参数
| 二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 770mV @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 350µA @ 100V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 40pF @ 5V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 2-UDFN | 供应商器件封装 | U-DFN2020-2 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
SDM1100LP-7手册
SDM1100LP-7概述
产品概述：SDM1100LP-7 肖特基二极管
一、产品简介
SDM1100LP-7是一款高性能的肖特基二极管，专为需要快速开关速度和低前向压降的应用而设计。该元件由知名品牌DIODES（美台）生产，采用表面贴装型（SMD）U-DFN2020-2封装，具有优良的抗热性能和可靠性。其工作结温范围为-55°C至175°C，适合各种恶劣环境下的应用。
二、主要参数
二极管类型：肖特基二极管以其较低的正向压降和高速特性著称。在高频应用中，其反向恢复时间短，能有效降低开关损耗。
反向电压：该二极管的最大直流反向电压为100V，能够承受一定的电压变动，适用于多种中等电压的电源和信号处理电路。
平均整流电流：SDM1100LP-7能够支持的平均整流电流为1A，使其广泛应用于整流、反向电流保护等电路中。
前向压降：在1A的工作条件下，该二极管的正向压降为770mV，这一特性有助于改善整体电路的能效，减少热量产生。
反向泄漏电流：在100V的工作条件下，反向泄漏电流为350µA，表明其在关闭状态下的能量损耗相对较低。
电容特性：在5V、1MHz的测试条件下，电容为40pF，显示出其在高频情况下的低电容特性，有助于减少高频信号中的衰减。
速度：SDM1100LP-7具备快速恢复特性，恢复时间不超过500ns，对于大于200mA的电流操作来说，这点尤其重要，适用于快速切换和脉冲操作的场合。
三、应用场景
SDM1100LP-7的设计使其非常适合于多个电子应用，包括但不限于：
电源管理：在开关电源和线性电源中，SDM1100LP-7可以用作整流器和反向电流保护元件。其低前向压降能够提高能量转换效率，减少功耗。
电机驱动：在电机驱动应用中，该二极管能够应用于飞轮二极管，提供快速的反向电流路径，保护电路不受反向电流冲击的影响。
通信设备：由于其良好的高频特性，SDM1100LP-7适合用于通信设备中的整流和保护电路，确保信号的完整传输与系统的稳定运行。
LED驱动：在LED驱动合路中，肖特基二极管可用于高效率电源供应，确保LED灯具的稳定亮度和更长的使用寿命。
四、产品优势
低功耗与高效率：SDM1100LP-7在正常工作条件下的低前向压降和反向泄漏电流，使其在许多应用中具有显著能效优势。
高温性能：其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其能够在严苛环境中稳定运行，并适用于航天、汽车与工业控制系统等特定应用。
小型封装：U-DFN2020-2的表面贴装型封装使得SDM1100LP-7占用更少的PCB空间，适合于紧凑型设计。
五、总结
SDM1100LP-7 肖特基二极管凭借其卓越的电气特性和广泛的应用潜力，成为了现代电子设计中不可或缺的元件。其在电源管理、电机驱动、通信设备及LED照明等多个领域的应用展现出其高效能和高可靠性，是设计工程师在选择高性能二极管时的理想选择。无论是在高频应用，还是在功率削减需求的情况下，SDM1100LP-7必将为您的设计带来巨大助力。